垂直型GaN基UMOSFET：外延生长机制与电学特性解析.docx

垂直型GaN基UMOSFET：外延生长机制与电学特性解析

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着现代社会对能源效率和功率密度要求的不断提高，功率器件作为电力转换和控制的核心部件，其性能的提升变得至关重要。在过去几十年中，硅基功率器件在电力电子领域占据主导地位，然而，随着硅材料物理极限的逐渐逼近，其在高功率、高频率和高温应用场景中的局限性日益凸显。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等优异特性，为突破传统硅基器件的性能瓶颈提供了可能。基于GaN材料的功率器件在理论上能够实现更高的功率密度、更低的导通电阻和更快的开关速度，从而显著提高电力