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2025半导体制造设备模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.以下哪类光源是当前7nm及以下制程EUV光刻机的标准配置？

A.KrF准分子激光（248nm）

B.ArF准分子激光（193nm）

C.极紫外光（13.5nm）

D.汞灯（436nm/g线）

答案：C

2.电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）与电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）的核心区别在于：

A.等离子体密度

B.刻蚀选择性

C.设备体积

D.工作压力范围

答案：A（ICP通过电感线圈耦合产生高密度等离子体，CCP通过平行极板电容耦合，等离子体密度较低）

3.低压化学气相沉积（LPCVD）与常压化学气相沉积（APCVD）相比，主要优势是：

A.沉积速率更高

B.薄膜均匀性更好

C.设备成本更低

D.适用温度更低

答案：B（低压环境减少气相反应，提高表面反应控制，改善均匀性）

4.离子注入机中，用于分离不同质量离子的关键部件是：

A.加速管

B.分析磁体

C.扫描器

D.终端站

答案：B（分析磁体通过磁场偏转分离不同荷质比的离子，确保注入离子纯度）

5.兆声波清洗设备的工作原理是利用：

A.化学溶液的强氧化性

B.高频声波产生的空化效应

C.等离子体轰击表面污染物

D.超纯水的高速冲刷

答案：B（兆声波（0.8-2MHz）在液体中产生微小气泡，气泡破裂产生的微射流去除亚微米级颗粒）

6.光刻机的分辨率（R）计算公式为R=k1×λ/NA，其中NA代表：

A.光源波长

B.工艺因子

C.数值孔径

D.焦深

答案：C（NA为物镜的数值孔径，反映镜头收集光的能力）

7.物理气相沉积（PVD）中，磁控溅射相比蒸发镀膜的主要优点是：

A.沉积速率更快

B.薄膜台阶覆盖性更好

C.可沉积高熔点材料

D.设备结构更简单

答案：C（溅射通过高能离子轰击靶材，可沉积钨、钼等高熔点金属，蒸发法受限于材料熔点）

8.化学机械抛光（CMP）设备中，用于控制抛光压力的关键部件是：

A.抛光盘

B.抛光垫

C.载具（Carrier）

D.磨料供给系统

答案：C（载具通过气囊或机械结构调节晶圆与抛光垫的接触压力）

9.以下哪项不是原子层沉积（ALD）的典型特征？

A.自限制生长（Self-limiting）

B.纳米级厚度控制

C.高台阶覆盖性

D.沉积速率＞100nm/min

答案：D（ALD沉积速率通常为0.01-0.2nm/循环，远低于CVD或PVD）

10.光刻机的焦深（DOF）计算公式为DOF=k2×λ/NA2，当NA增大时，焦深会：

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B（焦深与NA平方成反比，NA增大导致焦深减小，对晶圆表面平整度要求更高）

11.刻蚀工艺中，“负载效应（LoadingEffect）”指的是：

A.晶圆装载量对刻蚀速率的影响

B.图形密度不同导致的刻蚀速率差异

C.等离子体负载对电源功率的影响

D.设备负载过高导致的故障率上升

答案：B（密集图形区域与孤立图形区域因反应剂消耗差异，刻蚀速率不同）

12.薄膜应力测试设备中，常用的非接触式测量方法是：

A.压痕法

B.激光反射法（StressMeasurementbyCurvature）

C.纳米压入法

D.X射线衍射法

答案：B（通过测量薄膜沉积前后晶圆弯曲度变化计算应力，属于非接触式）

13.以下哪类清洗工艺主要用于去除金属污染物？

A.SC-1（NH4OH+H2O2+H2O）

B.SC-2（HCl+H2O2+H2O）

C.稀释氢氟酸（DHF）

D.臭氧水清洗

答案：B（SC-2中的H+和Cl-与金属离子络合，形成可溶性盐去除）

14.离子注入后的退火工艺主要目的是：

A.去除注入损伤，激活掺杂剂

B.提高晶圆表面平整度

C.增强薄膜附着力

D.降低设备腔室温度

答案：A（注入离子会破坏晶格，退火通过高温修复晶格并使掺杂原子进入晶格位置激活）

15.以下哪项是EUV光刻机的核心挑战？

A.光源功率不足

B.掩膜版成本低

C.光刻胶灵敏度低

D.光学系统无需真空环境

答案：A（EUV光子能量高，需高功率光源（当前约250W，目标500W）维持产能）

16.等离子体增强化