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2025年半导体光电考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种材料常用于制作半导体光电探测器？

A.铜B.硅C.铁D.铝

答案：B

2.半导体光电效应中，产生光生载流子的过程是？

A.电子跃迁B.原子振动C.分子转动D.离子迁移

答案：A

3.光照射到半导体表面，吸收光子能量的是？

A.原子核B.内层电子C.价电子D.中子

答案：C

4.半导体光电二极管工作时一般处于？

A.正向偏置B.反向偏置C.零偏置D.任意偏置

答案：B

5.提高半导体光电转换效率的关键因素是？

A.增大材料厚度B.减少光反射C.增加杂质浓度D.提高温度

答案：B

6.以下哪种光电器件可用于光通信中的信号探测？

A.发光二极管B.光电三极管C.太阳能电池D.激光二极管

答案：B

7.半导体中，导带底与价带顶之间的能量差称为？

A.禁带宽度B.能级差C.化学势D.费米能级

答案：A

8.光生伏特效应是指？

A.光照使半导体产生电势差B.光照使半导体发热

C.光照使半导体颜色变化D.光照使半导体导电率下降

答案：A

9.以下哪种半导体材料的光电性能较好？

A.锗B.砷化镓C.磷化铟D.以上都不对

答案：B

10.半导体光电探测器的响应速度与什么因素有关？

A.材料密度B.光强C.载流子迁移率D.环境湿度

答案：C

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体光电效应包括以下哪些类型？

A.光电导效应B.光生伏特效应C.光磁电效应D.热光电效应

答案：ABC

2.影响半导体光电探测器性能的因素有？

A.材料特性B.温度C.光照强度D.偏置电压

答案：ABCD

3.常见的半导体光电材料有？

A.硅B.锗C.砷化镓D.氮化镓

答案：ABCD

4.半导体光电二极管的特性参数包括？

A.响应度B.暗电流C.结电容D.击穿电压

答案：ABCD

5.光电探测器按工作原理可分为？

A.光电导型B.光伏型C.光磁电型D.热释电型

答案：ABD

6.提高半导体太阳能电池效率的方法有？

A.优化材料结构B.表面处理C.采用多结结构D.增大电池面积

答案：ABC

7.光照射半导体时，可能发生的过程有？

A.光吸收B.光反射C.光透射D.光散射

答案：ABCD

8.半导体光电三极管与光电二极管相比，优点有？

A.灵敏度高B.响应速度快C.输出电流大D.线性度好

答案：AC

9.半导体发光二极管发光的条件包括？

A.正向偏置B.合适的材料C.足够的电流D.高温度

答案：ABC

10.以下属于半导体光电器件的有？

A.光电耦合器B.激光二极管C.红外探测器D.发光二极管

答案：ABCD

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体光电效应只在特定波长的光照射下才会发生。（）

答案：对

2.光电探测器的响应度越高，其性能越好。（）

答案：对

3.半导体材料的禁带宽度越大，越容易产生光电效应。（）

答案：错

4.太阳能电池工作时不需要外加偏置电压。（）

答案：对

5.光电二极管在反向偏置时没有电流通过。（）

答案：错

6.温度升高对半导体光电探测器的性能没有影响。（）

答案：错

7.半导体发光二极管发出的光颜色取决于材料的禁带宽度。（）

答案：对

8.光电三极管的放大倍数与光照强度无关。（）

答案：错

9.光在半导体中传播时，不会发生能量损耗。（）

答案：错

10.采用量子阱结构可以提高半导体光电器件的性能。（）

答案：对

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光电导效应的原理。

答案：光照射半导体，价带电子吸收光子能量跃迁到导带，产生光生载流子（电子-空穴对），使半导体电导率增加，这种因光照引起半导体电导率变化的现象即光电导效应。

2.说明半导体光电探测器的主要性能指标。

答案：主要性能指标有响应度，反映对光信号的探测能力；暗电流，无光照射时的电流；响应速度，对光信号的响应快慢；噪声等效功率，衡量探测器探测微弱信号的能力等。

3.简述太阳能电池的工作原理。

答案：光照射到半导体太阳能电池，光子能量被吸收产生光生载流子（电子-空穴对），在内建电场作用下，电子和空穴分离并向两极移动，形成电流，实现光电转换。

4.半导体发