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金-镍酸镧纳米复合薄膜：制备工艺、导电机制与多元应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学领域，纳米复合薄膜凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为研究热点。金-镍酸镧纳米复合薄膜作为其中的重要一员，以其优异的导电性和独特的结构特性，在电子器件领域展现出巨大的应用潜力。

镍酸镧（LaNiO?）是一种具有钙钛矿结构的导电金属氧化物，因其晶包参数与铁电薄膜相近、化学性质稳定且原料成本较低，在铁电薄膜器件中常被用作缓冲层和底电极材料，能够有效优化铁电薄膜的结构和性能，增强铁电薄膜器件的抗疲劳性。然而，镍酸镧薄膜的导电性在某些情况下仍不能完全满足高性能电子器件的需求，限制了其在一些对导电性要求苛刻的领域中的应用。

金作为一种具有卓越导电性和化学稳定性的金属，其独特的电子结构使其在传导电子时具有极低的电阻。将金与镍酸镧复合形成纳米复合薄膜，有望结合两者的优势，通过金的高导电性弥补镍酸镧导电性的不足，同时保留镍酸镧的其他优良特性，从而显著提升材料的整体导电性能，为电子器件的性能提升提供有力支持。

从电子器件的发展趋势来看，随着电子设备朝着小型化、高性能化方向发展，对电子器件中的关键材料——导电薄膜的性能要求也越来越高。高性能的导电薄膜不仅能够降低电子器件的能耗，提高电子信号的传输速度和稳定性，还能为新型电子器件的研发和创新提供基础。金-镍酸镧纳米复合薄膜作为一种具有潜在高性能的导电材料，其研究成果对于推动电子器件在集成电路、传感器、显示器等领域的发展具有重要的理论和实际意义。在集成电路中，更优良的导电薄膜可以实现更小尺寸的芯片设计，提高芯片的运算速度和存储容量；在传感器领域，能够提升传感器的灵敏度和响应速度，实现对各种物理量和化学量的精确检测；在显示器方面，则有助于提高显示的清晰度和色彩还原度，提升用户体验。

1.2国内外研究现状

在金-镍酸镧纳米复合薄膜的制备方面，国内外学者已经开展了多种方法的探索。射频磁控溅射法是开发低成本微波电路较有前景的方法之一，它工艺相对成熟，成本低，且与传统的IC工艺兼容。然而，采用该方法在Si衬底上制备择优取向的LaNiO?薄膜时，存在薄膜较厚（厚度达500nm）、择优取向度不高以及晶粒结晶度不高的问题，这在一定程度上限制了其在一些对薄膜质量要求较高的应用场景中的使用。溶胶-凝胶（sol-gel）方法也被用于制备择优取向的LaNiO?薄膜，如Hwang等使用该方法制备了作为压电PZT薄膜底电极的LaNiO?薄膜，但该方法工艺复杂，与传统的IC工艺兼容性差，不利于工业化应用。化学溶液法通过以乙二醇甲醚为溶剂，硝酸镧和醋酸镍为溶质配制溶液，再经过旋涂镀膜、退火等步骤制备镍酸镧导电薄膜，该方法具有组成均匀、可大面积成膜等优点，常被用于与其他方法结合制备复合薄膜。

对于金-镍酸镧纳米复合薄膜的导电性研究，部分研究关注了镍酸镧本身的电学性能受应变影响的情况，如当镍酸镧薄膜存在应变时，薄膜晶格常数的变化会引起Ni-O-Ni键长和键角的变化，从而导致其电学性能发生显著变化，张应变下薄膜的键长增大，键角减小，室温电阻率升高。而在复合薄膜中，金的引入对整体导电性的影响机制较为复杂，虽然金具有高导电性，但金与镍酸镧之间的界面相互作用、金的含量和分布等因素都会对复合薄膜的最终导电性能产生影响，目前对于这些因素的协同作用以及如何精确调控以获得最佳导电性的研究还不够深入。

在应用领域，金-镍酸镧纳米复合薄膜主要被研究用于铁电薄膜器件中作为底电极材料，以改善铁电材料的极化现象。然而，在其他潜在应用领域，如在新型储能器件、高效催化剂载体等方面的研究还相对较少，其独特的物理性质在这些领域的应用潜力尚未得到充分挖掘和发挥。

总体而言，目前金-镍酸镧纳米复合薄膜的研究在制备方法上虽有多种尝试，但各有优缺点，尚未形成一种成熟、高效且能广泛应用的制备工艺；在导电性研究方面，对影响导电性能的多因素协同作用机制认识不足；在应用领域，研究范围相对较窄，还有许多潜在的应用领域有待进一步探索。

1.3研究内容与方法

本文旨在深入研究金-镍酸镧纳米复合薄膜，具体研究内容如下：

薄膜制备工艺优化：对现有的制备方法进行系统研究和改进，如结合化学溶液沉积法和溅射法，通过精确控制溶液的浓度、旋涂的速度和时间、溅射的参数（包括溅射功率、时间、靶材与样品间距等）以及退火的温度和时间等工艺条件，探索制备高质量金-镍酸镧纳米复合薄膜的最佳工艺参数，以提高薄膜的结晶质量、致密性和均匀性，同时优化金在镍酸镧薄膜中的分布和界面结合情况。

导电性深入分析：运用多种实验手段和理论分析方法，深入研究金-镍酸镧纳米复合薄膜的导电机制。通过四探针法、霍尔效应测试等实