集成电路工艺之硅的晶体结构.pptVIP

返回第29页，共49页，星期日，2025年，2月5日§1.4硅中的杂质1.4.1导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体电阻率区分：导体10-10Ω·cm；绝缘体108～1012Ω·cm；半导体10-6～10Ω·cm半导体？温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降适当波长的光照可以改变半导体的导电能力半导体电阻率的高低与所含杂质浓度密切相关第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日§1.4硅中的杂质本征半导体：不掺杂的半导体本征半导体中的载流子通过热激发产生的电子和空穴对（与温度有关）参考P14图1.17Si和GaAs中本征载流子浓度与温度的关系实际使用的半导体：在纯净的半导体中掺入某些杂质，使它的导电能力和导电类型改变。改变的原因：掺杂半导体中某种载流子浓度大大增加参考P15图1.18电阻率与杂质浓度的关系第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日N型半导体（Ⅴ族元素）+4+4+5+4多余电子磷原子多余电子只受P原子核库仑势的吸引，故小能量即可使其脱离P原子核的束缚成为自由电子。处于晶格位置又能贡献电子的原子（P）称为施主杂质。电子浓度增加导致导电能力增强。第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日P型半导体（III族元素）+4+4+3+4空穴硼原子能提供多余空穴的杂质称为受主杂质。P型半导体中空穴是多子，电子是少子。第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日掺杂半导体杂质补偿定义：不同类型杂质对导电能力相互抵消的现象对导电类型和导电能力的影响？实际应用？PN结在一块半导体中，一部分掺入N型杂质，另一部分掺入P型杂质，那么在两种杂质浓度相等处就形成P-N结。制造器件和集成电路的基础第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日掺杂半导体杂质类型：施主、受主：硼、磷等特殊杂质：金（扩散速率快，作为寿命控制杂质）玷污杂质：碳、氧碳会导致p-n结的过早击穿氧生成络合物，起施主作用返回第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日电子科技大学中山学院第一章硅的晶体结构与单晶生长电子科技大学中山学院集成电路工艺之硅的晶体结构第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日第一章硅的晶体结构与单晶生长第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日第一章硅的晶体结构与单晶生长第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日1.1硅晶体结构的特点1.2晶向、晶面和堆积模型1.3硅晶体中的缺陷1.4硅中的杂质1.5杂质在硅晶体中的溶解度1.6硅单晶生长第一章硅的晶体结构与单晶生长下一页第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日§1.1硅晶体结构的特点1.1.1晶胞1、晶格第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日简单立方体心立方面心立方2、晶胞定义：最大限度地反映晶体对称性质的最小单元第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日300K时，硅的a=5.4305?,锗的a=5.6463?硅晶胞（金刚石结构）两套面心立方格子沿体心对角线位移四分之一长度套构而成2、晶胞第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日1.1.2原子密度顶角：1/8；面心：1/2；体心：4一个硅晶胞中的原子数:8*1/8+6*1/2+4=8每个原子所占空间体积为：a3/8硅晶胞的原子密度:8/a3=5×1022/cm3锗晶胞的原子密度:8/a3=4.425×1022/cm3原子密度：原子个数/单位体积第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日1.1.3共价四面体一个原子在正四面体的中心，其它四个同它共价的原子位于正四面体的顶点，这种四面体称为共价四面体。最小原子间距：即正四面体中心原子到顶角原子的距离，即晶胞对角线长的四分之一。硅的晶体结构：第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日1.1.4晶体内部的空隙硅原子半径：rsi==1.17?硅原子体积:单位原子在晶格中占有的体积：空间利用率：硅原子体积/单位原子在晶格中占有的体积约为34%返回空隙为杂质在其中存在并运动创造了条件。第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日§1.2晶向、晶面和堆积模型1.2