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第四章MATLAB在器件

仿真中的应用

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4.1定态Schroedinger方程的求解

求解一定能量范围内的定态schroedinger方程

Δ

22m

ψ+2EUψ=0

h（）

其中U为有限深势井，

0tspan3050tspan80U10



30tspan80U0

利用ode45函数求解,ex4_1.m

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y0=[0;1];

%y0(1)=0;边界条件

%y0(2)=1;边界条件

[t,y]=ode45(@schrod,tspan,y0,options);

functionydot=schrod(t,y)

……

ydot=[y(2);-2*m*(e-V)*y(1)];

%y(1)’=y(2)

%y(2)’=-2*m*(e-V)*y(1),hbar归一化

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datal=

0.011505638098436

0.046028148521223

0.103573127395842

0.184129382467333

时间已过7.967019秒。

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4.2GNR(graphenenano_ribbon)E_K关系计算

对科技文献中工作的重复与再现

GNR是一种新型的纳米碳基材料，具有很多新的特性

E_K关系是描述材料能带结构的基本手段。

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NPEKDrelationre-parameterizedTBmethod

polyfit

ex4_2.m

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4.3MOSFET表面势的计算

MOSFET建模

MOSFET的建模可分为物理模型和集约模型

（compactmodel）两大类。

物理模型直接表征效应的物理图像，采用数值方法直

接求解相关的非线性方程组，精确度较高，如常见的薛定

谔方程＋泊松方程的自洽结，但这种方法计算速度慢，不

适合电路级仿真（如SPICE）应用。

集约模型是对原有的物理方程作出简化，使其形成易

于计算的不需要迭代的形式，从而可快速的得到结果。这

种方法速度快、占用资源少，适合电路级仿真使用，但存

在精确度受简化方法影响的问题，需要找到合适的简化方

法。

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MOSFET集约模型的分类

常用的MOSFET集约模型有基于阈值电压方式、基于反

型层电荷方式和基于表面势方式。

基于阈值电压的建模方式是最早使用的建模方法，但对

现在的工艺情况，它不适合低电压的使用，对亚阈值和

强反型等过渡区域不能描述。

基于反型层电