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2023年全球市场氮化镓HEMT外延片GIR3480中文总体规模、主要生产商、主要地区、产品和应用细分研究报告

第一章市场概述

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片作为第三代半导体材料的核心组成部分，在2023年全球半导体市场中展现出强劲的增长势头。随着5G通信、新能源汽车、快充电源等下游应用领域的快速发展，GaNHEMT外延片市场需求持续扩大，技术迭代加速推进。本报告基于GIR3480研究框架，对2023年全球氮化镓HEMT外延片市场进行全面分析，涵盖市场规模、竞争格局、区域分布、产品类型及应用领域等多个维度。

从产业链角度看，氮化镓HEMT外延片位于半导体产业链的中游环节，上游为衬底材料供应商，下游为器件制造和终端应用厂商。2023年，全球氮化镓HEMT外延片市场规模达到亿美元，同比增长%，其中6英寸硅基氮化镓外延片占据主导地位，市场份额超过%。在技术路线方面，MOCVD（金属有机化学气相沉积）工艺仍是主流制备技术，占比超过%，而MBE（分子束外延）技术在高频、高功率应用领域展现出独特优势。

从区域分布来看，亚太地区已成为全球最大的氮化镓HEMT外延片消费市场，占全球总需求的%，主要得益于中国、日本、韩国等国家在5G基础设施和消费电子领域的巨大投入。北美地区凭借其在射频通信和国防军工领域的传统优势，占据了%的市场份额。欧洲市场则以汽车电子和工业应用为主要驱动力，市场份额约为%。

第二章主要生产商分析

2023年全球氮化镓HEMT外延片市场呈现出寡头竞争格局，前五大生产商合计占据超过65%的市场份额。日本住友电工(SumitomoElectric)凭借其在碳化硅衬底GaN外延片领域的技术积累，以18.2%的市场份额位居全球首位，其产品主要应用于5G基站射频前端和卫星通信系统。美国科锐(Cree)旗下的Wolfspeed部门以15.7%的份额紧随其后，在碳化硅基氮化镓外延片领域具有明显优势，特别是在汽车电子和国防应用领域表现突出。

中国厂商在2023年实现了重大突破，三安光电旗下的湖南三安半导体以12.3%的市场份额跃居全球第三位，成为首家进入全球前五的中国企业。该公司在长沙建设的6英寸氮化镓外延片生产线已实现规模化量产，月产能达到5000片。意法半导体(STMicroelectronics)以10.8%的份额排名第四，其与台积电合作的8英寸氮化镓技术平台在2023年第三季度开始量产，主要面向智能手机快充和数据中心电源应用。日本NTTAT以8.6%的份额位列第五，专注于高频通信应用的氮化镓外延片研发。

值得关注的是，2023年新兴厂商表现活跃。英国的IQEplc通过收购美国RFMD相关业务，在射频氮化镓外延片领域获得快速发展；中国的华灿光电和乾照光电分别在LED用氮化镓和功率电子用氮化镓外延片领域取得技术突破，市场份额分别达到3.2%和2.8%。韩国的LGInnotek和三星电子也加大了在氮化镓外延片领域的投入，预计将在2024年形成新的产能。

从产能布局来看，全球氮化镓HEMT外延片产能主要集中在亚太地区，占总产能的72%。其中，中国产能占比从2022年的28%提升至2023年的35%，成为全球最大的氮化镓外延片生产国。日本和美国分别以24%和18%的产能占比位居第二、三位。在技术路线方面，6英寸硅基氮化镓外延片已成为市场主流，占总产量的68%，而8英寸产品占比提升至15%，预计未来两年将进入快速成长期。

第三章主要地区市场分析

亚太地区作为全球氮化镓HEMT外延片最大的消费市场，2023年市场规模达到亿美元，同比增长%。中国市场以亿美元的规模领跑亚太地区，主要受益于国家新基建政策推动下的5G基站大规模建设和新能源汽车产业的快速发展。广东省作为中国半导体产业的重要集聚区，氮化镓相关企业数量占全国总数的%，形成了从材料、外延片到器件制造的完整产业链。日本市场以亿美元位居亚太第二，其在射频通信和汽车电子领域的传统优势为氮化镓外延片提供了稳定需求。韩国市场则凭借三星电子和LG电子在消费电子领域的强大影响力，市场规模达到亿美元，同比增长%。

北美市场2023年氮化镓HEMT外延片市场规模为亿美元，其中美国市场贡献了%的份额。该地区市场增长主要受国防军工和航空航天领域对高性能射频器件的强劲需求驱动，同时数据中心电源升级也为氮化镓功率器件创造了新的增长点。加拿大市场虽然规模相对较小，但在5G通信基础设施建设方面的投入持续增加，为氮化镓外延片市场带来发展机遇。

欧洲市场2023年规模达到亿美元，德国、法国和英国是主要消费国。德国汽车工业向电动化转型加速，带动了车用氮化镓功率器件的需求增长，市场规模同比增长%。法国在航空航天领域的传统优势使其成为氮化镓射频器件的重要市场。英国则凭借其在科研领域的投入，推动了