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探秘GaAs(Sb,Bi)：光学与自旋极化特性的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代电子学领域的基石，自20世纪中叶以来，一直推动着电子技术的飞速发展。从早期的锗（Ge）材料，到后来占据主导地位的硅（Si），半导体材料的演进不断拓展着电子器件的性能边界。硅凭借其丰富的储量、成熟的制备工艺以及良好的电学性能，在大规模集成电路、微处理器等领域发挥着不可替代的作用，使得电子产品的尺寸不断缩小、性能不断提升，从大型计算机到如今轻薄便携的智能手机，硅基半导体功不可没。

随着科技的深入发展，对半导体材料性能的要求日益多样化和严苛化。传统的硅基半导体在某些方面逐渐显现