模拟电子技术概述课件.PPTVIP

§1-1．半導體基礎知識5.PN結的電容效應1）.勢壘電容（Cb)§1-1．半導體基礎知識2）.擴散電容(Cd)Cj=Cb+Cd§1-2．半導體二極體一、二極體的構成及類型1.構成PN結+管殼+引線§1-2．半導體二極體2.類型§1-2．半導體二極體二、二極體的伏安特性1.二極體和PN結伏安特性的區別開啟電壓Uon2.溫度對二極體伏安特性的影響§1-2．半導體二極體三、二極體的主要參數1.最大整流電流IF2.最高反向工作電壓UR3.反向電流IR4.最高工作頻率fM§1-2．半導體二極體四、二極體的等效電路1.由伏安特性折線化得到的等效電路§1-2．半導體二極體例題1求I=？§1-2．半導體二極體例題2（P17）§1-2．半導體二極體2.二極體的微變等效電路§1-2．半導體二極體例題3（P18）畫出uR的波形？問題：V=0時，UR的波形？§1-2．半導體二極體五、穩壓二極體穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體矽二極體。1.穩壓管的伏安特性§1-2．半導體二極體2.穩壓管的主要參數1).穩定電壓Uz2).穩定電流Iz3）.額定功耗PZM4）.動態電阻rz5）.溫度係數α§1-3．雙極型電晶體一、電晶體的結構及類型雙極型電晶體（BJT）又稱晶體三極管、半導體三極管，簡稱電晶體。§1-3．雙極型電晶體一、電晶體的結構及類型電晶體的結構示意圖電晶體的符號構成：三個區、三個極、兩個結§1-3．雙極型電晶體二、電晶體的電流放大作用§1-3．雙極型電晶體1.電晶體內部載流子的運動1).發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE2）擴散到基區的自由電子與孔穴的複合運動形成基極電流IB3）集電結加反向電壓，漂移運動形成集電極電流IC2、電晶體的電流分配關係IE=IEN+IEP=ICN+IBN+ICBOIC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP-ICBO=IB，-ICBO又：IE=IC+IB§1-3．雙極型電晶體3、電晶體的共射電流放大係數1）定義：共射直流電流放大係數2）定義：共射交流電流放大係數容易證明：*****************常用半導體器件§1-1．半導體基礎知識一、本征半導體純淨的、具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。1.半導體導電能力介於導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。大多數半導體器件所用的主要材料是矽（Si）和鍺（Ge）。2.結構原子結構§1-1．半導體基礎知識晶體結構原子規則排列形成共價鍵§1-1．半導體基礎知識3.本征激發和兩種載流子1）本征激發共價鍵T=0K無載流子束縛價電子部分價電子自由電子光、熱作用擺脫共價鍵{獲得足夠能量空位—稱空穴本征激發：指半導體在加熱或光照作用下，產生電子—空穴對的現象。§1-1．半導體基礎知識§1-1．半導體基礎知識2）載流子電場作用自由電子定向運動形成電子電流電場作用空穴填補空穴的價電子作定向運動形成空穴電流兩種載流子：帶負電荷的自由電子電場電子電流極性相反電流方向同帶正電荷的空穴空穴電流運動方向相反§1-1．半導體基礎知識4.本征半導體中載流子的濃度複合：運動中的電子重新被共價鍵束縛起來，電子空穴對消失。本征激發T一定複合動態平衡ni=pi=K1T3/2e-EGO/(2kT)本征半導體特點：1）導電能力弱2）熱不穩定性熱敏元件、光敏元件§1-1．半導體基礎知識二、雜質半導體在本征半導體中摻入微量的雜質元素，成為雜質半導體。1.N型半導體在本征半導體中摻入少量五價元素原子，稱為電子半導體或N型半導體。多數載流子：電子少數載流子：空穴np§1-1．半導體基礎知識2.P型半導體