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2025年大学《应用物理学》专业题库——阈值效应在半导体器件中的应用

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内）

1.在增强型N沟道MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，其沟道状态通常被描述为：

A.完全反型

B.完全耗尽

C.沟道存在但电流极小

D.沟道完全消失

2.下列哪个因素的增加通常会提高（增大）N沟道MOSFET的阈值电压？

A.沟道长度

B.沟道掺杂浓度

C.栅介质厚度

D.半导体体材料的厚度

3.MOSFET阈值电压公式中，与栅介质固定电荷（Q_f）项的关系是：

A.Q_f增加使N沟道阈值电压增加，P沟道阈值电压减小

B.Q_f增加使N沟道和P沟道阈值电压均减小

C.Q_f对阈值电压的影响与沟道类型（N/P）无关

D.Q_f代表栅极金属与半导体间的接触电势差，其影响正负取决于具体材料

4.“阈值效应”这个术语最主要、最核心的含义是指：

A.半导体中载流子扩散的现象

B.半导体中漂移电流的现象

C.MOSFET器件中，由栅极电场引起反型层（沟道）形成，并使器件从关断转为导通状态的临界栅极电压效应

D.器件工作在饱和区与线性区之间的转换效应

5.对于一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压（Vth）是：

A.正电压值

B.负电压值

C.总是零

D.取决于具体工艺，可能为正或负

二、填空题（请将答案填入横线处）

6.MOSFET的阈值电压是决定器件能否导通的关键电压，它通常定义为使栅极耗尽层刚好______（填“耗尽”或“反型”）半导体内部时所需的栅极电压。

7.影响MOSFET阈值电压的物理因素主要包括半导体材料的______浓度（或类型）、栅介质厚度、体材料厚度以及栅介质中的固定电荷和界面陷阱电荷。

8.在理想MOSFET模型中，阈值电压Vth的表达式通常为Vth=2φ_f+V_Sb+(2ε_s/qN_s)*(2π/3)*(sqrt(2qN_s*Ei-2q*V_Sb)-sqrt(2q*Ei))，其中φ_f是费米势，V_Sb是体接触电势差，ε_s是半导体介电常数，N_s是半导体掺杂浓度，q是元电荷，Ei是本征费米能级。此公式主要适用于______（填“N沟道”或“P沟道”）MOSFET，且假设栅介质中只有固定电荷，半导体处于______（填“强反型”或“强耗尽”）状态。

9.阈值电压的不稳定性是影响半导体器件可靠性的重要因素，其主要来源包括温度变化、栅极偏压老化（BiasTemperatureInstability,BTI）和______（填“热载流子注入”或“光照”）等。

10.在数字逻辑电路中，晶体管的阈值电压是决定电路功耗和速度的关键参数。通常，为了降低静态功耗，希望逻辑门的阈值电压______（填“越高”或“越低”）。

三、简答题（请简明扼要地回答下列问题）

11.简述导致增强型N沟道MOSFET阈值电压（Vth）随栅极掺杂浓度（N_d）增加而增加的物理原因。

12.什么是短沟道效应？简述短沟道效应对N沟道MOSFET阈值电压的主要影响。

13.阈值电压如何影响MOSFET的开关特性？请分别说明在数字电路中，高阈值器件和低阈值器件各有什么优缺点？

14.什么是亚阈值区（Off-state）？阈值电压如何影响MOSFET在亚阈值区的漏电流特性？

四、计算题（请列出必要的公式、计算步骤和结果）

15.一个增强型N沟道MOSFET，其工作在Si衬底（ε_s=11.7ε_0,q=1.6x10^-19C）上，沟道长度L=10微米。已知：N型沟道掺杂浓度N_d=10^16cm^-3，栅介质材料为SiO2（厚度t_ox=100nm,ε_ox=3.9ε_0,S_i=0nm,Q_f=0.5x10^14C/cm^2）。假设半导体体接触电势差V_Sb=0，本征费米能级Ei远低于Si的导带底，且器件工作于强耗尽状态。请计算该MOSFET的阈值电压Vth。（ε_0=8.854x10^-12F/m）

16.一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压Vth=-0.4V。当施加栅极电压Vg=-0.2V时，计算此时沟道中的电场强度E_g（假设沟道掺杂浓度和体材料厚度与题15相同，且半导体处于反型状态）。

试卷答案

一、选择题

1.B

*解析思路：增强型N沟道MOSFET