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聚合物包裹3C-SiC量子点固体薄膜的制备及发光特性研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今光电器件飞速发展的时代,新型发光材料的研究与开发一直是材料科学领域的核心议题之一。碳化硅量子点作为一种新兴的半导体纳米材料,凭借其独特的量子限域效应和尺寸依赖的光学特性,在光电器件领域展现出巨大的应用潜力,如发光二极管、激光器、生物成像、传感器等。其中,3C-SiC量子点因具有立方晶体结构,在电子迁移率和光学性能调控方面具有独特优势,成为研究热点。
然而,3C-SiC量子点在实际应用中面临一些挑战。由于量子点尺寸小,表面原子比例高,表面存在大量不饱和键和缺陷,导致其稳定性较差,容易发生
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