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ZnO基稀磁半导体纳米纤维的制备及物性研究：自旋调控与纳米结构构筑

一、引言

1.1研究背景与科学意义

1.1.1稀磁半导体的自旋电子学应用前景

在现代信息技术领域，电子的电荷属性和自旋属性一直以来都是分别被利用。以半导体材料为基础的大规模集成电路主要利用电子的电荷属性来实现信息处理和传输，而磁性材料则利用电子的自旋属性进行信息存储，如硬盘、磁带等。但随着科技的发展，人们逐渐意识到如果能在同一材料中同时操控电子的电荷与自旋属性，将会给信息技术带来革命性的变化。稀磁半导体（DMS）正是在这样的背景下应运而生，它是一种将磁性离子引入到非磁性半导体中形成的新型材料，兼具半导体的电学特性和磁性材料的自旋属性。

稀磁半导体在自旋电子学领域展现出了巨大的应用潜力。在自旋注入方面，它有望解决传统金属-半导体自旋注入中自旋极化率低和界面兼容性差的问题，为实现高效的自旋注入提供可能。例如，在自旋场效应晶体管（Spin-FET）中，通过控制稀磁半导体中的自旋极化载流子，可以实现对器件电流的高效调控，有望大幅提高器件的运行速度和降低能耗。在磁光耦合器件中，稀磁半导体的巨法拉第效应、巨塞曼分裂等特性使其能够实现磁学信息与光学信号之间的高效转换，可用于制造高性能的光隔离器、磁光调制器等，在光通信和光存储领域具有重要应用价值。

ZnO基稀磁半导体作为稀磁半导体家族中的重要一员，因其独特的物理性质而备受关注。ZnO具有宽禁带（~3.37eV）和高激子束缚能（60meV），这使得它在短波长光电器件如紫外发光二极管、激光二极管等方面具有潜在应用价值。同时，ZnO易于进行掺杂，能够通过引入磁性离子形成ZnO基稀磁半导体。理论研究表明，某些过渡金属（如Mn、Co、Fe等）掺杂的ZnO在一定条件下可能具有室温铁磁性，这为实现室温自旋电子器件提供了理想的基质材料。

1.1.2ZnO基纳米纤维的独特优势

在材料研究中，维度对材料性能有着至关重要的影响。一维纳米纤维结构的ZnO基稀磁半导体具有许多独特的优势。从掺杂角度来看，一维结构有利于增强掺杂离子在材料中的分布均匀性。在传统的体材料中，掺杂离子容易团聚形成团簇，这不仅会影响材料的磁性均匀性，还可能导致磁性杂质相的出现，从而干扰材料本征磁性的研究。而在纳米纤维中，由于其高比表面积和一维受限结构，掺杂离子能够更均匀地分散在纤维内部，有效抑制团簇的形成，有利于研究掺杂离子与半导体基质之间的相互作用以及由此产生的磁性机制。

通过晶向调控，例如实现纳米纤维沿c轴取向生长，可以优化材料的磁各向异性。磁各向异性是磁性材料的重要特性之一，它决定了材料在不同方向上的磁性表现。在ZnO基稀磁半导体纳米纤维中，c轴取向生长可以使材料的磁性沿着特定方向得到增强或调控，这对于开发具有特定磁性能要求的自旋电子器件具有重要意义。比如在磁存储器件中，通过精确控制磁各向异性，可以提高存储密度和数据读写的稳定性。

在制备工艺方面，静电纺丝等技术为制备ZnO基纳米纤维提供了有效的手段。通过这些技术，可以精准控制纳米纤维的直径（通常在50-200nm范围内）和孔隙率。这种精确控制能力为研究材料的尺寸效应与磁性之间的关联提供了良好的实验平台。研究表明，纳米纤维的直径变化会影响材料的比表面积、表面能以及载流子的传输特性，进而对材料的磁性产生显著影响。通过系统研究不同直径和孔隙率的纳米纤维的磁性，可以深入揭示尺寸效应在ZnO基稀磁半导体中的作用机制，为材料性能的优化提供理论依据。

1.2研究目标与核心内容

尽管ZnO基稀磁半导体纳米纤维在自旋电子学领域展现出了巨大的应用潜力，但目前仍面临一些关键问题亟待解决。其中，磁性机制不明确是制约其发展的重要因素之一。虽然已有大量研究表明过渡金属掺杂可以使ZnO基材料产生磁性，但对于磁性的起源和微观机制，学术界尚未达成共识。不同的研究团队基于各自的实验结果提出了多种理论模型，如双交换作用、RKKY相互作用、缺陷诱导磁性等，但这些模型都存在一定的局限性，无法全面解释实验中观察到的各种磁性现象。

室温铁磁性稳定性不足也是一个突出问题。许多实验报道的ZnO基稀磁半导体纳米纤维在室温下的铁磁性较弱且不稳定，容易受到外界因素（如温度、磁场、光照等）的影响而发生变化。这种不稳定性严重限制了其在实际自旋电子器件中的应用，因为在器件工作过程中，需要材料的磁性能够保持稳定，以确保器件性能的可靠性。

针对上述问题，本研究确立了明确的研究目标和核心内容。本研究聚焦于过渡金属（Mn/Co/Fe）单掺杂及Al/Mn共掺杂的ZnO基纳米纤维体系。通过优化静电纺丝工艺参数，精确控制纳米纤维的直径、孔隙率以及掺杂元素的浓度和分布，制备出高质量的ZnO基稀磁半