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应力与线缺陷对石墨烯纳米条带输运性质的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米电子学的飞速发展，对高性能纳米材料的需求日益迫切。石墨烯纳米条带（GrapheneNanoribbons，GNRs）作为一种新型的纳米材料，因其独特的物理性质和优异的电学性能，在纳米电子学领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

石墨烯纳米条带是通过对石墨烯进行纳米尺度的切割或边缘修饰而形成的一维结构。其独特的几何结构赋予了它许多优异的物理性质，如高载流子迁移率、可调节的带隙等。这些性质使得石墨烯纳米条带在纳米电子器件，如晶体管、传感器、逻辑电路等方面具有广泛的应用前景。例如，在晶体管中，石墨烯纳米条带的高载流子迁移率可以提高器件的运行速度，降低功耗；在传感器中，其对某些气体分子的高灵敏度可以实现对环境中微量气体的快速检测。

然而，在实际制备和应用过程中，石墨烯纳米条带不可避免地会受到应力和线缺陷的影响。应力可能由于材料生长过程中的晶格失配、外部机械作用等因素产生；线缺陷则可能由物理损伤、化学掺杂或其他形式的外界干预所引起。这些应力和线缺陷会对石墨烯纳米条带的电子结构和输运性质产生显著影响，进而影响其在纳米器件中的性能表现。

应力会导致石墨烯纳米条带的晶格发生畸变，改变原子间的距离和键角，从而影响电子的运动状态和能带结构。研究应力对石墨烯纳米条带输运性质的影响，有助于我们理解材料在实际工作环境中的性能变化，为纳米器件的可靠性设计提供理论依据。线缺陷的存在会破坏石墨烯纳米条带的周期性结构，引入额外的散射中心，阻碍电子的传输。了解线缺陷对石墨烯纳米条带输运性质的影响，对于优化材料的制备工艺，提高纳米器件的性能具有重要意义。

深入研究应力和线缺陷对石墨烯纳米条带输运性质的影响，不仅有助于揭示材料内部的物理机制，还能为石墨烯纳米条带在纳米电子学领域的实际应用提供理论支持和技术指导，对于推动纳米电子学的发展，提升纳米器件的性能具有重要的科学意义和实际价值。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队对石墨烯纳米条带展开了广泛而深入的研究，在应力和线缺陷对其输运性质影响方面取得了丰硕的成果。

在应力对石墨烯纳米条带输运性质的影响研究中，一些学者利用理论计算方法，如紧束缚模型和密度泛函理论（DFT），研究发现应力会导致石墨烯纳米条带的能带结构发生变化，进而影响其电子输运特性。例如，对锯齿型（zigzag）石墨烯纳米条带的研究表明，当两边导线上的应力方向垂直时，会产生明显的赝磁阻（PMR）效应，PMR值最高可达100％，并且该效应可通过改变纳米条带的宽度、应力的角度以及应力的大小进行调节。对扶手椅型（armchair）石墨烯纳米条带的研究也发现，在应力作用下，金属性质的armchair石墨烯纳米条带同样可以产生PMR效应。

关于线缺陷对石墨烯纳米条带输运性质的影响，研究人员通过实验和模拟相结合的方式，揭示了线缺陷对石墨烯纳米条带电子结构和输运性质的显著影响。有研究通过第一性原理计算和紧束缚模型分析发现，特定线缺陷会使石墨烯纳米条带的能带结构发生显著变化，特别是费米能级附近的电子态密度会有所增强或减弱。实验方面，利用扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）等技术手段，观测到了含有线缺陷的石墨烯纳米条带中电流的分布情况以及载流子迁移速率的变化。还有研究表明，由线缺陷组成的超晶格纳米条带会打破电子-空穴对称性，在特定能量处产生平带，且线缺陷纳米条带呈现非金属性质，与宽度无关；当系统具有多个线缺陷时，两线缺陷之间会形成准束缚态，在电导中出现共振劈裂峰。

尽管目前取得了上述研究成果，但仍存在一些不足和有待突破的方向。在理论计算方面，现有的模型和方法在处理复杂的应力和线缺陷相互作用时，存在一定的局限性，计算结果与实际情况可能存在偏差。在实验研究中，精确制备具有特定类型和密度的应力及线缺陷的石墨烯纳米条带样品仍面临挑战，这限制了对相关物理机制的深入理解和验证。不同研究之间的结果有时存在差异，缺乏统一的理论和实验标准来解释和比较这些差异，导致对某些现象的理解还存在争议。因此，进一步完善理论模型、改进实验技术，深入研究应力和线缺陷对石墨烯纳米条带输运性质的综合影响，仍是该领域亟待解决的问题。

1.3研究方法与创新点

本研究综合运用多种理论计算方法和实验验证手段，深入探究应力和线缺陷对石墨烯纳米条带输运性质的影响。

在理论计算方面，采用紧束缚模型来描述石墨烯纳米条带中电子的运动。紧束缚模型能够有效地考虑原子间的相互作用，通过对原子轨道的线性组合来构建电子波函数，从而计算出体系的能量和电子态分布。结合Landau-Büttiker方程，该方程用于描述电子在具有散射的量子体系中的输运过程，能够准确地计算出石墨烯纳米条带在应力和线缺陷作