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2025年半导体物理及器件基础考试试题及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下关于本征半导体的描述，正确的是：

A.本征载流子浓度仅与温度有关

B.导带电子浓度等于价带空穴浓度

C.费米能级位于禁带中央且不随温度变化

D.电导率随温度升高呈线性增加

答案：B

2.硅中掺入Ⅴ族元素（如磷）形成的杂质能级，其离化能约为：

A.0.04~0.05eV

B.0.1~0.2eV

C.0.5~0.6eV

D.1.0eV以上

答案：A

3.非平衡载流子的复合机制中，对间接带隙半导体（如硅）起主导作用的是：

A.直接复合

B.俄歇复合

C.陷阱辅助复合（SRH复合）

D.表面复合

答案：C

4.室温下（300K），n型半导体的费米能级相对于本征费米能级的位置为：

A.高于本征费米能级

B.低于本征费米能级

C.等于本征费米能级

D.与掺杂浓度无关

答案：A

5.半导体中载流子迁移率的主要限制因素不包括：

A.晶格振动散射（声子散射）

B.电离杂质散射

C.载流子间的库仑散射

D.光吸收散射

答案：D

6.PN结的势垒电容主要存在于：

A.正向偏置时

B.反向偏置时

C.零偏置时

D.所有偏置状态

答案：B

7.肖特基二极管与PN结二极管的主要区别在于：

A.前者基于金属-半导体接触，后者基于半导体-半导体结

B.前者正向导通电压更高

C.前者反向漏电流更小

D.前者频率特性更差

答案：A

8.MOSFET的阈值电压与以下哪项无关？

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.金属栅与半导体的功函数差

答案：C

9.半导体中载流子的产生方式不包括：

A.热激发

B.光激发

C.电注入

D.自发辐射

答案：D

10.量子阱结构中，载流子的运动在哪个维度上受到限制？

A.一维

B.二维

C.三维

D.无限制

答案：B

二、填空题（每空1分，共20分）

1.本征载流子浓度\(n_i\)的表达式为\(n_i=\sqrt{N_cN_v}\exp\left(-\frac{E_g}{2kT}\right)\)，其中\(N_c\)和\(N_v\)分别代表导带和价带的__________。

答案：有效态密度

2.杂质半导体中，当温度足够高时，载流子浓度由__________决定，此时进入本征激发区。

答案：本征激发

3.非平衡载流子的寿命定义为__________的平均生存时间。

答案：非平衡载流子从产生到复合

4.PN结的击穿机制主要有__________和__________两种。

答案：齐纳击穿（隧道击穿）、雪崩击穿

5.扩散电流的表达式为\(J_n=qD_n\frac{dn}{dx}\)（电子）和\(J_p=-qD_p\frac{dp}{dx}\)（空穴），其中\(D_n\)和\(D_p\)分别为电子和空穴的__________。

答案：扩散系数

6.MOS结构的平带电压\(V_{FB}\)等于金属与半导体的功函数差除以电子电荷，即\(V_{FB}=\frac{\phi_m-\phi_s}{q}\)，其中\(\phi_m\)和\(\phi_s\)分别为金属和半导体的__________。

答案：功函数

7.异质结根据两种半导体的禁带宽度排列方式，可分为__________和__________两类（按导带底和价带顶的相对位置）。

答案：突变型异质结、缓变型异质结（或staggeredgap、straddlinggap，需根据教材定义调整）

8.当电场强度超过临界值时，载流子漂移速度不再随电场增加而线性上升，出现__________现象。

答案：速度饱和

9.直接带隙半导体（如GaAs）的导带底和价带顶在k空间中__________（填“重合”或“分离”），因此光吸收和发射效率更高。

答案：重合

10.量子限制效应会导致半导体的有效带隙__________（填“增大”或“减小”），这是由于载流子在受限维度上的能量量子化。

答案：增大

三、简答题（每题8分，共40分）

1.比较直接带隙半导体与间接带隙半导体的主要区别，并说明其应用差异。

答案：直接带隙半导体的导