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电子元器件基本知识;

;;;真空二极管〔实物〕;;德福雷斯特与肖克莱;;;;;二、半导体晶体管

;半导体的三个物理效应，光电导效应、光生伏打效应、整流效应

1873年，英国物理学家施密斯发现晶体硒在光照射下电阻变小的半导体光电现象；

1877年英国物理学家亚当斯(W.G.Adams)发现晶体硒和金属接触在光照射下产生电动势的半导体光生伏打效应，

1906年美国物理学家皮尔士等人发现金属与硅晶体接触能有整流作用的半导体整流效应。

半导体的导电特性：热敏性光敏性掺杂性;;巴丁、肖克莱、布拉顿;巴丁、肖克莱、布拉顿;第一个晶体管;;;1959创造平面工艺。;二、三极管的应用：;2．三极管

〔1〕放大：IB小变化，引起IC大变化。

以小控大。放大系数

小信号放大：中频、高频、低频信号放大；

大位号放大：功率放大，音响输出；

〔2〕振荡：产生各种频率的正弦波信号，收音机、电视机的变频。作信号源，测试仪器用。LC振荡器，RC振荡器。

〔3〕开关作用三种工作状态：放大截止—开关;;;三．集成电路〔IC〕;;;杰克·基尔比的IC;;;Intel创始人诺伊思〔中〕、摩尔〔右〕;;;四大规模，超大规模集成电路

;半导体存储器的进展：

1965，施密特，MOS、ROM、存储器

1963 INTEL公司，256位

1970，1K位1986，1M位，〔1.2μm〕

1974，4K位，〔10μm〕1989，4M位，〔0.8μm〕

1976，16K位，〔5μm〕1998，256M位，〔0.25μm〕

1979，64K位，〔3μm〕2001，1G位〔1000M〕

1983，256K位，〔1.5μm〕

202164G〔理论极限256G〕;;;;Intel4004CPU;上:1970年1Kb

下:2002年1Gb;1962年12个元件的集成块

**1965年初近100个元件的集成块〔SSI小

规模集成电路〕

**1965年底100-1000个〔MSI中规模集成电

路〕；

**1971年1000-10万个〔LSI大规模集成电

路〕

**1978年10万-100万个/30mm2〔VSLI超大

规模集成电路〕

90年代1亿个以上〔ULSI极大规模集成

电路〕；

**20世纪末突破10亿个〔GLSI巨大规模集

成电路〕。;特征尺寸;谢谢大家！