过氧化氢浓度动态对钨研磨液CMP制程的影响与优化策略研究.docx

过氧化氢浓度动态对钨研磨液CMP制程的影响与优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体作为电子设备的核心组件，其制造工艺的发展备受瞩目。随着集成电路（IC）技术的不断进步，芯片制造已经进入了纳米级制程时代。在这一背景下，化学机械平坦化（CMP）制程成为了半导体制造过程中不可或缺的关键技术，它对于实现晶圆表面的高度平坦化，确保芯片的高性能、高可靠性起着决定性作用。

CMP制程通过将化学腐蚀与机械研磨相结合，能够有效去除晶圆表面的多余材料，从而实现纳米级别的表面平整度。在多层金属互连结构制造中，每一层金属布线完成后，都需要利用CMP技术进行平坦化处理，为后续的布