硅衬底GaN薄膜生长条件与C、H、O杂质浓度关联探究.docx

硅衬底GaN薄膜生长条件与C、H、O杂质浓度关联探究

1.引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，硅衬底GaN薄膜凭借其卓越的物理性质和广泛的应用前景，占据着极为重要的地位。GaN作为一种宽禁带半导体材料，拥有高达3.4eV的带隙宽度，具备高临界击穿电场（＞3mV/cm）、高饱和漂移速度（～2.5×107cm/s）以及良好的导热率等显著优势。这些特性使得硅衬底GaN薄膜在光电子器件如发光二极管（LED）、激光二极管（LD），微电子器件如高电子迁移率晶体管（HEMT）等领域展现出巨大的应用潜力。在LED领域，基于硅衬底GaN薄膜制备的LED具有发光效率高、寿