第2章场效应晶体管.pptVIP

MOS晶体管类别按载流子类型分：NMOS:也称为N沟道，载流子为电子。PMOS:也称为P沟道，载流子为空穴。按导通类型分：增强型：耗尽型：四种MOS晶体管：N沟增强型；N沟耗尽型；P沟增强型；P沟耗尽型第29页，共45页，星期日，2025年，2月5日（1）N沟增强：VDSVGS=VTIDSVGSVTIDS第30页，共45页，星期日，2025年，2月5日(b)N沟耗尽：VDSVGS=VTIDSVGSVTIDSVGS=0第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日（C）P沟增强第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日促进MOS晶体管发展的4大技术半导体表面的稳定化技术各种栅绝缘膜的实用化技术自对准结构的MOS工艺阈值电压的控制技术第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日2.6.1MOSFET结构MOSFET:MOSfield-effecttransistor也叫：绝缘栅场效应晶体管（InsulatedGate,IGFET）金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)电压控制电流—场效应晶体管分为N沟道和P沟道，每一类又分为增强型和耗尽型。第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日1MOSFET结构示意图第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日MOS器件的表征：沟道长度沟道宽度wL第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日第7页，共45页，星期日，2025年，2月5日第8页，共45页，星期日，2025年，2月5日2MOS结构

MOS是采用电场控制感应电荷的方式控制导电沟道.为了形成电场,在导电沟道区的止面覆盖了一层很薄的二氧化硅层,称为栅氧化层.栅氧化层上覆盖一层金属铝或多晶硅,形成栅电极.构成一种金属-氧化物-半导体结构,故称为MOS结构.目前栅极大多采用多晶硅.第9页，共45页，星期日，2025年，2月5日2.6.2MOSFET工作原理（NMOS为例）第10页，共45页，星期日，2025年，2月5日NMOS工作原理VDSVGS-VTVDS=VGS-VTVDSVGS-VT第11页，共45页，星期日，2025年，2月5日第12页，共45页，星期日，2025年，2月5日阈值电压：强反型层形成沟道时的栅源电压VT；(表面反型产生的载流子数目等于衬底多子的数目)线性区(Linearregion)： VDSVGS–VT饱和区（Saturationregion）： VDS=VGS-VT过渡区：截止区（Cutoff）：VGS–VT击穿区：PN结击穿；第13页，共45页，星期日，2025年，2月5日1VGS小于等于0的情况:截止区两个背靠背的PN结,源漏间阻抗很大,电流近似为0。对应于直流伏安特性中的截止区。第14页，共45页，星期日，2025年，2月5日2沟道的形成和阈值电压:线性区（1）导电沟道的形成图1P型半导体第15页，共45页，星期日，2025年，2月5日(2)、表面电荷减少(施加正电压)第16页，共45页，星期日，2025年，2月5日(3)、形成耗尽层（继续增大正电压）第17页，共45页，星期日，2025年，2月5日(4)、形成反型层（电压超过一定值VT）第18页，共45页，星期日，2025年，2月5日表面场效应形成反型层（MOS电容结构）第19页，共45页，星期日，2025年，2月5日反型层是以电子为载流子的N型薄层,就在N+型源区和N+型漏区间形成通道称为沟道。VDSVGS-VT第20页，共45页，星期日，2025年，2月5日（1）线性区：VGS-VTVDS令：K=Cox??n工艺因子Cox:单位面积电容；?n：电子迁移率βN=K(W/L)导电因子则：IDS=βN[(VGS-VTN)-VDS/2].VDS——线性区的电压-电流方程当工艺一定时，K一定，βN与（W/L）有关。第21页，共45页，星期日，2025年，2月5日（2）饱和区：VDSVGS-VTLSDVDSVDS-(VGS-VT)VGS-VTVGS-VT不变，VDS增加的电压主要降在△L上，由于