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NiSe2有序纳米线阵列的合成及其超高电容储能研究
摘要：采用一步溶剂热法成功制备了生长在泡沫镍上的NiSe2纳米线阵列。表征表明生长在泡
沫镍上的NiSe2纳米线直径为40-60nm，长度约为2μm。电化学性能测试是在3molL-1KOH电解
质溶液中进行，结果表明：NiSe2纳米线阵列结构在电流密度为1Ag-1时质量比电容高达2487F
g-1。在经过5000次循环后，NiSe2纳米线阵列电极的电容保持率为80.20%，表现出优异的循环稳
定性和良好的能量存储行为。这些结果表明NiSe2纳米线陈列作为电极材料在电化学领
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