2025年大学《数理基础科学》专业题库—— 固体物理学与半导体器件.docxVIP

2025年大学《数理基础科学》专业题库——固体物理学与半导体器件

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.晶体中原子（或离子、分子）在空间排列呈现周期性重复结构的基本单元是？

A.晶胞

B.晶格

C.晶面

D.亚晶格

2.根据能带理论，绝缘体和半导体的主要区别在于？

A.导带电子数不同

B.禁带宽度的大小

C.价带是否被填满

D.晶格结构不同

3.在半导体中，掺入五价元素（如磷、砷）后，形成的半导体类型及该杂质原子在晶格中的作用分别是？

A.n型半导体，提供多余电子

B.p型半导体，产生空穴

C.n型半导体，产生空穴

D.p型半导体，提供多余电子

4.对于本征半导体，当温度升高时，其导电率将如何变化？

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

5.p-n结在平衡状态时，其内部电场的主要来源是？

A.外加电压

B.载流子的扩散

C.掺杂浓度差异

D.晶体缺陷

6.空间群是描述晶体宏观对称性的数学分类，它包含了几何对称操作？

A.2种

B.3种

C.4种

D.5种

7.在金属晶体中，自由电子气模型主要用于解释其哪些物理性质？

A.金属的导电性和导热性

B.金属的延展性

C.金属的磁性

D.金属的光泽

8.晶格振动（声子）在固体中传递能量，其对半导体的哪个物理量有重要贡献？

A.电导率

B.禁带宽度

C.热导率

D.光吸收系数

9.材料产生压电效应的条件是？

A.材料具有各向同性

B.材料具有各向异性且无对称中心

C.材料具有对称中心

D.外加磁场作用

10.双极结型晶体管（BJT）实现放大作用的基础是？

A.载流子的漂移

B.载流子的扩散与复合

C.栅极电压控制

D.基极电流控制集电极电流

二、填空题

1.描述晶体结构的基本参数是晶格常数，对于面心立方结构，其原子配位数等于________，近邻原子间距等于晶格常数________的平方根。

2.根据量子力学，电子在晶体中无法具有连续的能量，而是形成一个个不连续的能量________，这些能量________之间存在着能量间隔。

3.半导体中，载流子的产生与复合过程主要发生在________能级附近。掺入三价元素（如硼、镓）后，将在价带中产生________能级。

4.p-n结在外加正向电压作用下，其空间电荷区会________，导致内建电势差减小，从而使得多数载流子大量注入对方区域，形成较大的________电流。

5.能带理论是在________理论和________理论基础上发展起来的，用以解释固体（特别是金属和半导体）的导电性等宏观物理现象。

三、简答题

1.简述晶体缺陷对半导体材料物理性质（如电学性质）可能产生的影响。

2.简要解释什么是费米能级，并说明其在金属、绝缘体和半导体中的大致位置有何不同。

3.为什么说半导体是“半导体”？其导电性介于导体和绝缘体之间，主要受哪些因素影响？

四、计算题

1.设某本征半导体，其电子和空穴的迁移率分别为μn=1400cm2/Vs，μp=450cm2/Vs，本征载流子浓度ni=1.0x101?cm?3。计算该半导体的电导率σ。(假设电子电荷量q=1.6x10?1?C)

2.一块n型硅半导体，掺杂浓度ND=1.0x1022cm?3。硅的电子有效质量me*≈0.26me(me为电子静止质量，约9.1x10?31kg)，费米能级与价带顶之间的距离εi≈0.045eV。假设温度下费米能级位于禁带中央（即Ev+εi/2=Ec-εi/2），且kT≈0.025eV(k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度)。估算该n型硅在室温下的本征载流子浓度np（与多数载流子浓度n相比，np可忽略不计）。

3.一个理想p-n结，p区和n区的掺杂浓度分别为Na=1.0x1021cm?3和Nd=1.0x1021cm?3。设电子和空穴的迁移率分别为μn=1000cm2/Vs，μp=400cm2/Vs，电子电荷量q=1.6x10?1?C。忽略