第1章双极型半导体器件.pptVIP

第1章双极型半导体器件第1页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)第1章双极型半导体器件1.2半导体二极管1.3半导体三极管1.1半导体的基本知识第2页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)1.1.1半导体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的导电机理不同于其它物质，其特点：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。1.1半导体的基本知识第3页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)1.1.2本征半导体GeSi绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电常用的半导体是硅和锗，外层电子（价电子）均4个。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。形成共价键后，最外层电子是8个，构成稳定结构+4+4+4+4共价键结构束缚电子第4页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)1.1.3杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)而形成，也称为（空穴半导体）。N型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）而形成。也称为（电子半导体）。+4+4+5+4多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么？自由电子为多数载流子（多子）空穴称为少数载流子（少子）自由电子为多子空穴是多子多子和少子的移动都能形成电流。起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等第5页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)P型半导体N型半导体扩散运动内电场E漂移运动扩散使空间电荷区逐渐加宽内电场越强，漂移运动越强，漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。1.1.4PN结PN结的形成－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++扩散和漂移运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变第6页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)PN结的单向导电性PN结外加正向电压：P区接正、N区接负电压PN结加上反向电压：P区加负、N区加正电压PNPN内电场外电场变薄结论：PN结导通外电场变厚结论：PN结截止内电场第7页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)1.2半导体二极管1、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管电路符号1.2PN2、伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V导通压降:硅管约0.7V锗管约0.3V反向击穿电压URVD第8页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)3、主要参数1.最大整流电流IFM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流2.最大反向工作电压URM指管子运行时允许承受的最大反向电压，是反向击穿电压UBR的一半。3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。其值越小越好。温度越高反向电流越大。硅管的较小，锗管的要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。1.2第9页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)4.直流电阻RDiDuDIDUDQ?iD?uDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻1.25.微变电阻rD二极管上电压与电流之比正向几十欧-几千欧反向几十-几百千欧第10页，共33页，星期日，2025年，2月5日(1-*)实际二极管：正向压降?0.7V(硅二极管)理想二极管：正向压降=0。分析时，常把二极管看成理想的。R