基于AAO_Si复合模板磁性纳米线阵列的制备.pdfVIP

摘要

一维纳米结构材料由于其独特的形貌结构表现出不同于块体、颗粒、薄膜

等结构材料的性能，而得到广泛的研究。近年来，人们对一维纳米材料不仅仅

局限于结构材料的制备上，而是希望能在实际器件中得到应用。纳米结构器件

的构筑需对一维材料进行有序组装，而极大部分制备出的纳米材料是杂乱无序

的，使其应用受到了限制。将纳米材料按一定方式排列起来构成阵列体系，是

当今纳米材料和纳米结构研究的前沿和热点。有序阵列体系兼具低维纳米尺度

效应和高度有序性，比杂乱、无序纳米材料具有更优异的性能，它是下一代纳

米结构器件设计的材料基础。因此，对一维“自由站立”的磁性纳米线阵列的

研究具有现实意义。

磁性纳米线的制备采用模板辅助电化学沉积技术，但是绝大部分在模板去除

后，纳米线因无支撑而变得松散无序，不便于研究不同阵列结构对磁性纳米线性

能的影响。因此，为了实现纳米线的“自由站立”和有序组装，本文重点研究了

AAO/Si复合型模板的制备工艺，并主要研究了实验参数(电解质类型、阳极氧化

电压、氧化时间等)对复合模板表面形貌、孔参数的影响。

(1)组装型AAO/Si的复合模板：用铝片制备出双通AAO，然后将AAO模板以

物理方式贴附于导电基底上。结果表明：孔间距与孔直径与电解液类型密切相关，

不同电解液的最优阳极电压不同。草酸电解液的最优氧化电压为40V，磷酸+草

酸电解液的最优电压为195V，并通过调控氧化时间与扩孔时间实现了大范围厚

度和孔直径可调的AAO/Si复合模板，AAO模板与Si基底粘附性较差。同时，对于

磷酸+草酸电解液制备的双通AAO模板，利用物理填充技术(聚碳酸酯，PMMA)

将孔直径的最小值由原先的300nm缩小至230nm。

(2)生长型AAO/Si的复合模板：利用镀膜技术先制备出Al/Ti/Si的复合薄膜，

再对铝膜进行阳极化处理，形成AAO/Ti/Si复合型模板。结果表明：在磷酸+草酸

电解液中，模板形貌结构较差。在草酸电解液中，通过调控氧化时间与扩孔时间

实现了AAO模板厚度和孔直径的调控，AAO模板厚度与孔直径的范围远小于组

装型AAO/Si的复合模板，但与基底的结合力远大于组装型AAO/Si的复合模板。

最后，利用两种复合型模板进行电化学沉积钴铁合金(CoFe，CF)、钴铁氧

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体(CoFeO，CFO)纳米线阵列。结果表明：相对于组装型AAO/Si的复合模板，

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生长型模板制备的纳米线与基底具有较好的结合力，不易脱落。纳米线高度小于

2μm时，可相互平行，自由站立在基底上，呈现出六角排列。纳米线高度大于5

μm时，由于长度的原因出现顶部团聚现象。CF纳米线表现出较差的结晶度甚至

未结晶,CFO则表现出良好的结晶性。并得到了一个剩磁比为0.42，矫顽力为553

Oe，表现出磁各向异性的“自由站立”的铁氧体纳米线阵列。

关键字：纳米线阵列；多孔阳极氧化铝；铁氧体；电化学沉积

ABSTRCT

One-dimensionalnanostructuredmaterialshavebeenextensivelystudied

becauseoftheiruniquemorphologicalstructure,whicharedifferentfromtheblock,

particle,andfilmmaterials.Inrecentyears,one-dimensionalnanomaterialsarenot

limitedtothepreparation,butareexpectedtobeappliedinpracticaldevices.The

constructionofnanostructureddevicesrequiresorderlyassemblyofone-dimensional

materials,whilethevastmajorityofpreparednanomaterialsaredisorderwhichlimits

theirappli