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高频精选：工艺整合招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于半导体制造的光刻步骤？

A.化学气相沉积

B.光刻胶涂覆

C.物理气相沉积

D.蚀刻

2.哪种气体常用于等离子体蚀刻工艺？

A.氧气

B.氮气

C.氩气

D.氯气

3.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除表面杂质

B.平整晶圆表面

C.形成金属互连

D.生长半导体薄膜

4.光刻工艺中，用于定义图案的是？

A.掩膜版

B.光刻胶

C.光源

D.显影液

5.物理气相沉积（PVD）不包括以下哪种方法？

A.溅射

B.蒸发

C.化学镀

D.离子镀

6.半导体工艺中，掺杂的目的是？

A.改变半导体的导电性

B.增加半导体的硬度

C.提高半导体的透明度

D.降低半导体的熔点

7.湿法蚀刻与干法蚀刻相比，优点是？

A.蚀刻精度高

B.对环境友好

C.设备成本低

D.蚀刻速率慢

8.化学气相沉积（CVD）可以用于生长？

A.单晶硅

B.多晶硅

C.非晶硅

D.以上都是

9.以下哪种工艺用于在晶圆上形成金属互连？

A.化学机械抛光

B.光刻

C.电镀

D.蚀刻

10.半导体工艺中，氧化层的主要作用是？

A.保护晶圆表面

B.作为绝缘层

C.提供光刻掩膜

D.以上都是

多项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺的主要步骤包括？

A.光刻胶涂覆

B.曝光

C.显影

D.蚀刻

2.等离子体蚀刻的优点有？

A.蚀刻速率快

B.蚀刻精度高

C.对材料选择性好

D.设备成本低

3.化学机械抛光（CMP）的影响因素包括？

A.抛光压力

B.抛光垫材料

C.抛光液成分

D.抛光时间

4.物理气相沉积（PVD）的优点包括？

A.薄膜质量高

B.沉积速率快

C.可以沉积多种材料

D.对环境友好

5.半导体掺杂的方法有？

A.离子注入

B.扩散

C.化学镀

D.电镀

6.湿法蚀刻的特点有？

A.蚀刻速率快

B.蚀刻均匀性好

C.对设备要求低

D.对材料选择性差

7.化学气相沉积（CVD）的类型包括？

A.低压化学气相沉积（LPCVD）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.金属有机化学气相沉积（MOCVD）

D.常压化学气相沉积（APCVD）

8.金属互连工艺中，常用的金属有？

A.铝

B.铜

C.金

D.银

9.半导体氧化工艺的方法有？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.蒸汽氧化

D.等离子体氧化

10.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.产品性能

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，曝光剂量越大，光刻胶的溶解速率越快。（）

2.等离子体蚀刻只能用于蚀刻半导体材料。（）

3.化学机械抛光（CMP）可以同时实现表面平整和材料去除。（）

4.物理气相沉积（PVD）只能沉积金属薄膜。（）

5.半导体掺杂可以改变半导体的电学性能。（）

6.湿法蚀刻的蚀刻精度比干法蚀刻高。（）

7.化学气相沉积（CVD）只能生长半导体薄膜。（）

8.金属互连工艺中，铜比铝更适合用于高性能芯片。（）

9.半导体氧化层的厚度可以通过氧化时间和温度来控制。（）

10.工艺整合只需要考虑工艺的可行性，不需要考虑成本和生产效率。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版使光刻胶曝光，经显影后光刻胶图案转移到晶圆上，后续经蚀刻等工艺将图案固定在晶圆，实现芯片图形化制造。

2.化学机械抛光（CMP）的作用是什么？

CMP用于平整晶圆表面，去除表面高低起伏，使晶圆达到全局平整。它还能去除多余材料，为后续工艺提供良好表面，提高芯片性能和良率。

3.半导体掺杂的目的和方法有哪些？

目的是改变半导体导电性，形成P型或N型半导体。方法有离子注入，精确控制杂质剂量和深度；扩散，在高温下使杂质原子扩散进入半导体。

4.工艺整合需要考虑哪些因素？

要考虑工艺兼容性，确保各工艺间不相互干扰；成本因素，控制生产费用；生产效率，提高产能；产品性能，保证芯片达到设计要求。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺在半导体制造中的重要性。

光刻是半导体制造核心工艺，决定芯片特征尺寸和集成度。高精度光刻能实现更小尺寸芯片，提高性能和功能。光刻精度不足会影响芯片性能和良率，对产业发展至关重要。

2.分析化学机械抛光（CMP）在工艺整合中的挑战和解决方案。

挑战有表面缺陷、平整度不均、材料去除速率控制难等。解决