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高频精选：工艺整合秋招面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中关键参数是（）

A.温度B.曝光量C.压力D.湿度

2.哪种气体常用于刻蚀工艺（）

A.氧气B.氮气C.氯气D.氢气

3.薄膜沉积方法中，CVD是指（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.原子层沉积D.分子束外延

4.硅片清洗常用的试剂是（）

A.硫酸B.盐酸C.氢氟酸D.硝酸

5.以下哪种是半导体常用衬底材料（）

A.玻璃B.陶瓷C.硅D.塑料

6.离子注入工艺主要改变材料的（）

A.机械性能B.电学性能C.光学性能D.热学性能

7.化学机械抛光的作用是（）

A.去除杂质B.表面平坦化C.增加厚度D.改变颜色

8.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护硅片B.形成图形C.散热D.导电

9.以下哪种不是常见的半导体制造工艺步骤（）

A.氧化B.电镀C.封装D.种植

10.刻蚀工艺分为干法和（）

A.湿法B.热法C.冷法D.光法

多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体工艺整合涉及的主要工艺有（）

A.光刻B.刻蚀C.薄膜沉积D.离子注入

2.光刻工艺的流程包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀

3.薄膜沉积的方法有（）

A.PVDB.CVDC.ALDD.MBE

4.硅片清洗的目的是（）

A.去除杂质B.去除有机物C.去除金属离子D.改善表面平整度

5.离子注入工艺的优点有（）

A.精确控制杂质浓度B.低温工艺C.可实现选择性掺杂D.成本低

6.化学机械抛光的影响因素有（）

A.压力B.转速C.抛光液成分D.温度

7.半导体制造中常用的气体有（）

A.氮气B.氢气C.氯气D.氦气

8.光刻工艺中光刻胶的特性要求有（）

A.高分辨率B.高灵敏度C.良好的粘附性D.耐刻蚀性

9.刻蚀工艺的选择比与（）有关

A.刻蚀气体B.刻蚀时间C.刻蚀温度D.被刻蚀材料

10.半导体工艺整合的目标是（）

A.提高芯片性能B.降低成本C.提高良品率D.缩短生产周期

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺是半导体制造中最关键的工艺之一。（）

2.化学气相沉积只能沉积单一元素的薄膜。（）

3.硅片清洗可以使用任何清洗剂。（）

4.离子注入会对硅片造成损伤。（）

5.化学机械抛光可以完全消除表面粗糙度。（）

6.光刻胶在曝光后性质不会发生改变。（）

7.干法刻蚀比湿法刻蚀的精度高。（）

8.半导体工艺整合只需要考虑工艺的可行性。（）

9.薄膜沉积的厚度可以精确控制。（）

10.封装工艺对芯片性能没有影响。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将图形转移到涂有光刻胶的硅片上。曝光后光刻胶性质改变，经显影去除部分光刻胶，形成与掩膜版对应的图形。

2.离子注入工艺的主要作用是什么？

精确控制杂质种类和浓度，改变半导体电学性能，实现选择性掺杂，为不同器件提供合适的电学参数，是制造集成电路的关键工艺。

3.化学机械抛光的目的和原理是什么？

目的使硅片表面平坦化。原理是通过机械摩擦和化学腐蚀共同作用，在压力和抛光液作用下，去除表面凸起部分，达到全局平坦。

4.半导体工艺整合的重要性体现在哪些方面？

可优化各工艺衔接，提高芯片性能和良品率，降低成本，缩短生产周期，使芯片满足市场对高性能、低成本、短交付期的需求。

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论光刻工艺中分辨率的影响因素及提高方法。

影响因素有曝光光源波长、光刻胶性能、光学系统等。可采用短波长光源、改进光刻胶、优化光学系统设计及使用分辨率增强技术如相移掩膜等来提高。

2.分析离子注入工艺中杂质分布的控制方法和意义。

控制方法有精确设置注入能量和剂量、进行退火处理。意义在于确保半导体器件电学性能符合设计要求，提高芯片性能和可靠性，实现不同功能器件的制造。

3.探讨化学机械抛光过程中表面缺陷产生的原因及解决措施。

原因有抛光液颗粒、压力不均、转速不当等。措施包括优化抛光液配方、调整压力和转速、加强清洗和检测，以减少表面划