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2025年大学《电子封装技术-半导体器件基础》考试参考题库及答案解析

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一、选择题

1.半导体材料的禁带宽度越大，则其（）

A.导电性越好

B.穿透深度越深

C.热稳定性越好

D.激光波长越短

答案：C

解析：禁带宽度是半导体能带结构的重要参数，它表示价带顶端和导带底端之间的能量差。禁带宽度越大，意味着需要更高的能量才能激发电子跃迁到导带，因此载流子浓度较低，导电性较差。但较大的禁带宽度也意味着材料具有更好的热稳定性，不易发生热激发导致的导电，并且对光子的吸收阈值更高，激光波长也相应更长。因此，热稳定性越好是正确的描述。

2.PN结正向偏置时，其耗尽层（）

A.展宽

B.趋于消失

C.变窄

D.不变

答案：C

解析：当PN结正向偏置时，外部电压使P区的空穴向N区移动，N区的电子向P区移动，这些多数载流子向对方区域扩散，并复合掉一部分空间电荷区的少数载流子。由于少数载流子的补充，空间电荷区（耗尽层）的离子数量减少，导致耗尽层变窄。因此，正向偏置时耗尽层变窄是正确的。

3.双极结型晶体管（BJT）实现放大作用的基本条件是（）

A.发射结反向偏置，集电结反向偏置

B.发射结正向偏置，集电结反向偏置

C.发射结正向偏置，集电结正向偏置

D.发射结反向偏置，集电结正向偏置

答案：B

解析：双极结型晶体管（BJT）要实现放大作用，必须满足发射结正向偏置和集电结反向偏置的条件。发射结正向偏置使得发射区多数载流子（电子或空穴）能顺利注入基区；集电结反向偏置则能形成足够的电场，将基区注入的多数载流子和基区自身的少数载流子有效地收集到集电区，从而实现电流放大。其他偏置组合要么无法形成有效的电流放大，要么会导致器件工作在开关状态。因此，发射结正向偏置、集电结反向偏置是实现放大作用的基本条件。

4.MOS场效应晶体管（MOSFET）的导电机制主要依赖于（）

A.发射区和集电区之间的电子扩散

B.栅极电压控制下的沟道形成

C.基区与集电区之间的电场作用

D.P型和N型半导体之间的内建电场

答案：B

解析：MOS场效应晶体管（MOSFET）的导电机制是利用栅极电压来控制半导体表面沟道的形成与否以及沟道的导电能力。当栅极电压达到一定阈值时，会在半导体表面形成导电沟道，源极和漏极之间的电流便可以流过。这种控制是通过电场效应实现的，即栅极电压产生的电场改变了半导体表面的载流子浓度和分布，从而控制了沟道的导电状态。因此，导电机制主要依赖于栅极电压控制下的沟道形成。

5.在半导体器件制造过程中，离子注入技术主要用于（）

A.形成金属互连线

B.腐蚀电路图形

C.改变半导体材料的掺杂浓度

D.光刻电路图案

答案：C

解析：离子注入技术是一种将特定能量的离子束轰击半导体晶圆表面，使离子进入材料内部并取代原有原子或掺杂原子的技术。通过精确控制离子种类、能量和剂量，可以精确地改变半导体材料的掺杂浓度和类型，从而制造出具有不同电学特性的器件区域，如源极、漏极和栅极。因此，离子注入技术主要用于改变半导体材料的掺杂浓度。

6.半导体器件的击穿电压主要受（）

A.器件尺寸的影响

B.材料禁带宽度的影响

C.耗尽层宽度的限制

D.晶体缺陷的影响

答案：C

解析：半导体器件的击穿电压是指在器件两端施加足够高的电压时，导致器件发生电击穿，电流急剧增大的临界电压。击穿电压主要受耗尽层宽度的限制。当外加电压增加时，耗尽层电场增强，当电场强度超过材料的临界击穿场强时，就会发生电击穿。耗尽层宽度越宽，临界击穿场强越高，击穿电压也越高。因此，耗尽层宽度的限制是决定击穿电压的主要因素。

7.金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，氧化层的绝缘性能要求（）

A.高导热性

B.高电导率

C.高介电常数

D.高电阻率

答案：D

解析：在金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，氧化层位于金属栅极和半导体衬底之间，起着绝缘隔阂的作用，防止栅极电流直接流向半导体衬底。因此，氧化层需要具有非常高的电阻率，以确保其绝缘性能，避免漏电流的产生。高电阻率意味着材料对电流的阻碍能力很强，能够有效地隔离栅极和衬底。高导热性、高电导率和相对较低的电介常数都不是绝缘层所要求的性能。

8.半导体器件的热稳定性主要取决于（）

A.材料的禁带宽度

B.器件的封装材料

C.器件的工作温度范围

D.掺杂剂的类型

答案：A

解析：半导体器件的热稳定性主要取决于材料的禁带宽度。禁带宽度越大，意味着材料中的电子需要更高的能量才能跃迁到导带，因此材料在高温下不易发生热激发导致的导电，表现出更好的热稳定性。相反，禁带宽度较小的材料在高温下更容易发生热激发，导致载流子浓度增