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2025年大学《电子信息材料-电子信息材料制备技术》考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.电子信息材料制备过程中，用于沉积薄膜的等离子体源通常采用（）

A.热源

B.光源

C.等离子体源

D.化学源

答案：C

解析：等离子体源能够提供高能粒子，通过溅射或化学气相沉积等方式在基板上形成薄膜，广泛应用于半导体、显示器等电子信息材料的制备。热源、光源和化学源不具备这种功能。

2.电子信息材料中，用于制造集成电路的硅材料纯度要求达到（）

A.99%

B.99.9999%

C.99.9999999%

D.99.999999999%

答案：C

解析：集成电路制造对材料纯度要求极高，杂质含量直接影响器件性能。99.9999999%的纯度（9N）是当前主流的半导体级硅材料要求。

3.电子信息材料制备中的真空技术主要用于（）

A.提高材料密度

B.防止材料氧化

C.降低材料熔点

D.增加材料导电性

答案：B

解析：真空环境可以去除空气中的氧气和水汽，防止材料在高温制备过程中发生氧化或其他副反应，是大多数电子信息材料制备的关键工艺环节。

4.电子信息材料制备中，溅射技术的核心原理是利用（）

A.离子轰击

B.电子束加热

C.化学反应

D.热蒸发

答案：A

解析：溅射技术通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子或分子溅射出来沉积到基板上，是制备金属、合金及化合物薄膜的重要方法。

5.电子信息材料制备中的光刻技术主要应用于（）

A.材料提纯

B.薄膜沉积

C.材料掺杂

D.微纳结构加工

答案：D

解析：光刻技术利用光束通过掩模版曝光光刻胶，通过显影形成特定图案，是制造微电子器件中电路图形的关键工艺。

6.电子信息材料制备过程中，用于控制材料成分均匀性的方法是（）

A.搅拌

B.振动

C.离心

D.均质化处理

答案：D

解析：均质化处理（如熔炼、扩散等）能有效消除材料内部成分偏析，确保制备的电子信息材料成分均匀，这是保证器件性能稳定的基础。

7.电子信息材料制备中，退火工艺的主要目的是（）

A.提高材料硬度

B.改善材料结晶质量

C.降低材料电阻率

D.增加材料厚度

答案：B

解析：退火工艺通过加热和缓慢冷却，可以消除材料制备过程中产生的内应力，改善晶粒结构，提高结晶质量，对材料性能有显著影响。

8.电子信息材料制备中，化学气相沉积（CVD）技术的特点包括（）

A.沉积速率快

B.设备简单

C.成膜均匀性好

D.以上都是

答案：D

解析：CVD技术具有沉积速率可调、膜层均匀、适用材料范围广等优点，是制备高性能电子信息材料的重要方法。

9.电子信息材料制备中，用于检测薄膜厚度的是（）

A.光谱仪

B.薄膜应力测试仪

C.质谱仪

D.薄膜厚度测量仪

答案：D

解析：薄膜厚度测量仪是专门用于精确测量薄膜厚度的高精度仪器，对电子信息材料制备过程中的质量监控至关重要。

10.电子信息材料制备中，原子层沉积（ALD）技术的优势在于（）

A.沉积速率快

B.温度要求低

C.成膜均匀性差

D.设备复杂

答案：B

解析：ALD技术具有原子级精度控制、温度要求低、成膜均匀性好等优点，特别适用于制备高性能、高质量要求的电子信息材料薄膜。

11.电子信息材料制备过程中，用于沉积薄膜的等离子体源通常采用（）

A.热源

B.光源

C.等离子体源

D.化学源

答案：C

解析：等离子体源能够提供高能粒子，通过溅射或化学气相沉积等方式在基板上形成薄膜，广泛应用于半导体、显示器等电子信息材料的制备。热源、光源和化学源不具备这种功能。

12.电子信息材料中，用于制造集成电路的硅材料纯度要求达到（）

A.99%

B.99.9999%

C.99.9999999%

D.99.999999999%

答案：C

解析：集成电路制造对材料纯度要求极高，杂质含量直接影响器件性能。99.9999999%的纯度（9N）是当前主流的半导体级硅材料要求。

13.电子信息材料制备中的真空技术主要用于（）

A.提高材料密度

B.防止材料氧化

C.降低材料熔点

D.增加材料导电性

答案：B

解析：真空环境可以去除空气中的氧气和水汽，防止材料在高温制备过程中发生氧化或其他副反应，是大多数电子信息材料制备的关键工艺环节。

14.电子信息材料制备中，溅射技术的核心原理是利用（）

A.离子轰击

B.电子束加热

C.化学反应

D.热蒸发

答案：A

解析：溅射技术通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子或分子溅射出来沉积到基板上，是制备金属、合金及化合物薄膜的重要方法。

15.电子信息材料制备中的