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2025年大学《电子封装技术-先进封装技术》考试参考题库及答案解析

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一、选择题

1.先进封装技术中，三维堆叠技术的主要优势是（）

A.增加封装高度，但不影响性能

B.提高互连密度，缩短信号传输距离

C.降低封装成本，提高散热效率

D.增加封装层数，简化生产工艺

答案：B

解析：三维堆叠技术通过垂直方向上的层叠结构，显著提高了互连密度，缩短了芯片之间的信号传输距离，从而提升了器件的运行速度和能效。虽然能增加封装高度，但其主要优势在于性能提升，而非成本或散热。增加封装层数虽然可能，但并非其核心优势，且复杂的生产工艺是其挑战之一。

2.在系统级封装（SiP）中，多芯片集成的主要目的是（）

A.提高单个芯片的制造精度

B.降低整体封装的尺寸和成本

C.增加封装材料的使用量

D.简化芯片的设计流程

答案：B

解析：系统级封装（SiP）通过将多个不同功能的芯片集成在一个封装体内，实现了小型化、轻量化和成本优化，是现代电子封装技术的重要发展方向。其核心目的在于通过集成提升系统性能，同时降低整体封装的尺寸和成本。提高单个芯片精度、增加材料使用量或简化设计流程并非其直接目标。

3.基于硅通孔（TSV）的先进封装技术，其关键制造工艺是（）

A.光刻和蚀刻

B.锡焊和回流焊

C.TSV钻孔和填充

D.块材切割和研磨

答案：C

解析：硅通孔（TSV）技术是三维集成电路封装的核心，其关键在于通过特种加工技术在硅片中垂直钻通孔，并进行电学填充以实现垂直互连。光刻和蚀刻是半导体制造的基础工艺，锡焊和回流焊是封装后的连接工艺，块材切割和研磨是晶圆制备过程的一部分，但TSV技术的独特性和核心在于钻孔与填充。

4.异构集成技术相较于传统封装技术的显著区别是（）

A.使用更小的封装基板

B.在同一封装内集成不同工艺节点的芯片

C.减少封装层数

D.提高芯片的功率密度

答案：B

解析：异构集成技术允许在同一封装内集成采用不同制造工艺（如CMOS、SiGe、MEMS等）的多个芯片，实现功能互补和性能优化，这是其与传统封装技术（通常集成同类型芯片）最显著的区别。使用更小的基板、减少层数或提高功率密度可能是其结果或特点，但非本质区别。

5.先进封装技术中，扇出型晶圆级封装（Fan-OutWaferLevelPackage,FOWLP）的主要特点包括（）

A.在晶圆上直接形成焊球阵列

B.封装尺寸大于芯片尺寸

C.采用了嵌入式无源器件技术

D.垂直互连结构为主

答案：A

解析：扇出型晶圆级封装（FOWLP）的核心特点是在晶圆制造阶段就形成芯片之外的扇出型引线结构，并在晶圆上直接制作焊球阵列（CSP形式），从而实现更小的封装尺寸和更高的引脚密度。封装尺寸小于芯片尺寸是其直接结果，嵌入式无源器件是可选技术，垂直互连不是其主导结构。

6.在先进封装测试中，针测（Bed-of-Nails,BON）主要适用于（）

A.高密度互连的封装

B.需要高精度温度控制的测试

C.多芯片集成封装的初步筛选

D.需要频繁拆装的封装

答案：C

解析：针测（BON）是一种基础的测试方法，通过一个带有多个针脚的测试板与封装焊盘接触进行电气测试。它结构简单、成本相对较低，适合用于多芯片集成封装等复杂封装的初步功能筛选和缺陷检测。对于高密度互连可能存在接触精度问题，对于高精度温控和频繁拆装不适用。

7.嵌入式无源器件（EmbeddedPassiveComponents,EPC）在先进封装中的主要作用是（）

A.提高封装的机械强度

B.减少封装后的无源器件占位面积

C.简化封装后的电路板设计

D.增加封装的散热面积

答案：B

解析：嵌入式无源器件技术将无源元件（如电阻、电容）在芯片制造或封装基板制造过程中集成到有源器件之间，其主要作用是显著减少封装后电路板上的无源器件占位面积，从而提高空间利用率和系统集成度。它不直接提高机械强度、简化电路板设计或增加散热面积，尽管可能间接影响这些方面。

8.先进封装中，硅通孔（TSV）的填充材料通常要求（）

A.电阻率极高

B.热膨胀系数与硅接近

C.透光率极高

D.机械强度极低

答案：B

解析：硅通孔（TSV）的填充材料需要具有良好的电学绝缘性（电阻率高）和与硅相近的热膨胀系数（CTE匹配），以避免应力导致开路或短路，并保证长期可靠性。透光率与TSV功能无关，机械强度需要适中以保证填充完整性。

9.在系统级封装（SiP）设计中，电源管理芯片（PMIC）的布局通常考虑（）

A.尽量靠近芯片封装的边缘

B.放置在封装中心位置

C.与热源芯片保持较远距离

D.优先考虑美观

答