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碳化硅MOSFET双脉冲实验系统设计与分析.docx

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    碳化硅MOSFET双脉冲实验系统设计与分析

    DesignandAnalysisofAiliconCarbideMOSFETDoublePulseExperimentalSystem

    摘要

    本文就目前应用广泛的SiCMOSFET进行研究。首先阐述了功率半导体器件的发展历程，研究现状并且从材料、器件、模块、应用等诸多方面说明了在目前SiCMOSFET领域的研究中存在的问题。随后，通过选取不同厂家不同型号的MOSFET对比碳化硅材料与传统硅材料元器件的静态特性，经过分析导通电阻、开启阀域电压与转移特性等曲线之后，详细描述了应用碳化硅材料的特殊性质制作MO

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