半导体资料1000问.xlsVIP

Sheet3

Sheet2

Sheet1

baidusnap0

baidusnap1

baidusnap2

baidusnap3

1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)

2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子

3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统

4.Acid：酸

5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）

6.Alignmark(key)：对位标记

7.Alloy：合金

8.Aluminum：铝

9.Ammonia：氨水

10.Ammoniumfluoride：NH4F

11.Ammoniumhydroxide：NH4OH

12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）

13.Analog：模拟的

14.Angstrom：A（1E-10m）埃

15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）

16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）

17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）

18.Antimony(Sb)锑

19.Argon(Ar)氩

20.Arsenic(As)砷

21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷

22.Arsine(AsH3)

23.Asher：去胶机

24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）

25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）

26.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）

27.Baseline：标准流程

28.Benchmark：基准

29.Bipolar：双极

30.Boat：扩散用（石英）舟

31.CD：（CriticalDimension）临界（要害）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。

32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。

33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。

34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。

35.Chip：碎片或芯片。

36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。

37.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。

38.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些非凡要求的特定区域。

39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。

40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。

41.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。

42.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。

43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。

44.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。

45.Correlation：相关性。

46.Cp：工艺能力，详见processcapability。

47.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex。

48.Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。

49.Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。

50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。

51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）

52.Depletionlayer：耗尽层。可动载