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ETCH

何谓蚀刻(Etch)?

答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

蚀刻种类:

答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻

蚀刻对象依薄膜种类可分为:

答：poly,oxide,metal

何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?

答：Oxideetchandnitrideetch

半导体中一般介电质材质为何?

答：氧化硅/氮化硅

何谓湿式蚀刻

答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除

何谓电浆Plasma?

答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.

何谓干式蚀刻?

答：利用plasma将不要的薄膜去除

何谓Under-etching(蚀刻不足)?

答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留

何谓Over-etching(过蚀刻)

答：蚀刻过多造成底层被破坏

何谓Etchrate(蚀刻速率)

答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度

何谓Seasoning(陈化处理)

答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。

Asher的主要用途:

答：光阻去除

Wetbenchdryer功用为何?

答：将晶圆表面的水份去除

列举目前Wetbenchdry方法:

答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry

何谓SpinDryer

答：利用离心力将晶圆表面的水份去除

何谓MaragoniDryer

答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除

何谓IPAVaporDryer

答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除

测Particle时,使用何种测量仪器?

答：TencorSurfscan

测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?

答：膜厚计,测量膜厚差值

何谓AEI

答：AfterEtchingInspection蚀刻后的检查

AEI目检Wafer须检查哪些项目:

答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle(3)刻号是否正确

金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?

答：清机防止金属污染问题

金属蚀刻机台asher的功用为何?

答：去光阻及防止腐蚀

金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?

答：因为金属线会溶于硫酸中

HotPlate机台是什幺用途?

答：烘烤

HotPlate烘烤温度为何?

答：90~120度C

何种气体为PolyETCH主要使用气体?

答：Cl2,HBr,HCl

用于Al金属蚀刻的主要气体为

答：Cl2,BCl3

用于W金属蚀刻的主要气体为

答：SF6

何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体?

答：C4F8,C5F8,C4F6

硫酸槽的化学成份为:

答：H2SO4/H2O2

AMP槽的化学成份为:

答：NH4OH/H2O2/H2O

UVcuring是什幺用途?

答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度

UVcuring用于何种层次?

答：金属层

何谓EMO?

答：机台紧急开关

EMO作用为何?

答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下

湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?

答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门(3)化学药剂危险.严禁打开此门

遇化学溶液泄漏时应如何处置?

答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.

遇IPA槽着火时应如何处置??

答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组

BOE槽之主成份为何?

答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).

BOE为那三个英文字缩写?

答：BufferedOxideEtcher。

有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?

答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出

电浆的频率一般13.56MHz,为何不用其它频率?

答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等

何谓ESC(electricals