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功率半导体工程师考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.IGBT是（）

A.双极型晶体管

B.绝缘栅双极型晶体管

C.场效应管

D.晶闸管

2.功率二极管的正向压降一般（）

A.小于1V

B.1-2V

C.2-3V

D.大于3V

3.MOSFET的导通电阻随温度升高而（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

4.以下哪种器件适合高频应用（）

A.晶闸管

B.GTO

C.MOSFET

D.普通二极管

5.功率半导体器件的散热方式中，效率最高的是（）

A.自然散热

B.风冷散热

C.水冷散热

D.热管散热

6.IGBT的关断时间主要由（）决定

A.存储时间

B.下降时间

C.拖尾时间

D.开通时间

7.功率因数校正（PFC）电路中常用的器件是（）

A.晶闸管

B.MOSFET

C.普通二极管

D.肖特基二极管

8.以下不属于功率半导体器件的是（）

A.集成电路

B.功率二极管

C.IGBT

D.MOSFET

9.晶闸管的导通条件是（）

A.阳极加正向电压

B.门极加正向触发脉冲

C.阳极加正向电压且门极加正向触发脉冲

D.阳极加反向电压

10.功率半导体模块的封装形式中，散热性能较好的是（）

A.TO封装

B.DIP封装

C.IPM封装

D.SOT封装

答案：1.B；2.A；3.A；4.C；5.C；6.C；7.B；8.A；9.C；10.C

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.功率半导体器件的主要参数有（）

A.耐压

B.电流容量

C.开关速度

D.导通电阻

2.以下属于晶闸管派生器件的有（）

A.GTO

B.MCT

C.IGBT

D.MOSFET

3.功率二极管按特性可分为（）

A.普通二极管

B.快恢复二极管

C.肖特基二极管

D.稳压二极管

4.功率半导体器件的失效原因可能有（）

A.过电压

B.过电流

C.过热

D.静电损坏

5.提高功率半导体器件散热效率的方法有（）

A.增大散热面积

B.降低热阻

C.提高散热介质的流速

D.采用高效散热材料

6.IGBT的优点有（）

A.开关速度快

B.导通压降小

C.电流容量大

D.驱动功率小

7.MOSFET的特点包括（）

A.电压驱动型器件

B.开关速度快

C.无二次击穿现象

D.导通电阻较大

8.功率半导体模块的优点有（）

A.体积小

B.散热好

C.可靠性高

D.便于安装

9.用于软开关技术的功率半导体器件有（）

A.IGBT

B.MOSFET

C.晶闸管

D.GTO

10.功率半导体器件在以下哪些领域有应用（）

A.电力电子装置

B.新能源汽车

C.智能电网

D.消费电子

答案：1.ABCD；2.AB；3.ABC；4.ABCD；5.ABCD；6.ABCD；7.ABC；8.ABCD；9.AB；10.ABCD

三、判断题（每题2分，共20分）

1.功率半导体器件只能用于直流电路。（）

2.普通二极管的开关速度比快恢复二极管快。（）

3.IGBT是电压驱动型器件。（）

4.功率半导体器件的耐压越高，导通电阻越大。（）

5.散热片的面积越大，散热效果越好。（）

6.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。（）

7.MOSFET的跨导越大，开关速度越快。（）

8.功率半导体模块的内部结构是固定的，不能根据需求定制。（）

9.功率因数校正电路可以提高电源的效率。（）

10.所有功率半导体器件都需要驱动电路。（）

答案：1.×；2.×；3.√；4.√；5.√；6.√；7.√；8.×；9.√；10.√

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述IGBT的工作原理。

答：IGBT是电压控制型器件。当栅极加正向电压，形成沟道使P区和N-区导通，电子从发射极注入，空穴从集电极注入，实现导通；当栅极电压为零或负，沟道消失，器件关断。

2.功率二极管与普通二极管有何区别？

答：功率二极管用于功率电路，能承受高电压、大电流，开关速度有快有慢；普通二极管用于小信号电路，耐压和电流小，一般开关速度慢。

3.提高功率半导体器件散热性能有哪些意义？

答：可防止器件因过热损坏，提高可靠性；降低器件工作温度能减小损耗，提高效率；还可延长器件使用寿命，保证设备稳定运行。

4.简述功率因数校正（P