分级结构ZnO_Si纳米线阵列:生长机制、催化性能及内在关联的深度剖析.docx

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分级结构ZnO/Si纳米线阵列:生长机制、催化性能及内在关联的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今材料科学领域,纳米材料以其独特的物理化学性质展现出巨大的应用潜力。分级结构ZnO/Si纳米线阵列作为一种新型的复合纳米材料,融合了ZnO和Si两种材料的优势,在多个领域表现出引人注目的应用前景。

ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙n型氧化物半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。这些本征特性使得ZnO在室温或更高温度下能有效工作,并且具备极好的化学、机械和热稳定性。同时,由于其原料易获取、成本低廉且无毒,在光催化、光伏、传感

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