基于半解析法的功率VD - MOS器件二维电势与源_漏寄生导通电阻特性深度剖析.docx

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2025-11-28 发布于上海
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基于半解析法的功率VD-MOS器件二维电势与源/漏寄生导通电阻特性深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，功率半导体器件扮演着举足轻重的角色，是实现电能高效转换与控制的核心部件。其中，功率VD-MOS（VerticalDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor）器件凭借其独特的优势，如高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关速度、良好的频率特性以及较高的热稳定性等，在众多应用场景中得到了广泛应用。从日常的电子设备，如手机充电器、笔记本电脑电源适配器，到工业领域的电机驱动、电力传输与分配系统，再到新能源汽车的电池管理与动力