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PN结的形成及特性;优选PN结的形成及特性;载流子的漂移与扩散;使半导体的一边形成N型区,另一边形成P型区。;左边是P型半导体,右边是N型半导体。P型半导体里面还画出了它的少子(自由电子)(一个小点),N型半导体里面也画出了它的少子(空穴)(一个小圆圈).;N区有许多自由电子(多数载流子)和几个由于热产生的空穴(少数载流子),而P区有许多空穴(多数载流子)和几个由于热产生的自由电子(少数电子)。PN结构成了基本的二极管。二极管是只允许电流往一个方向流动的元件。;(1)在浓度差的作用下,电子从N区向P区扩散。;(2)在浓度差的作用下,空穴从P区向N区扩散。;在浓度差的作用下,两边多子互相扩散。由于他们的量比较大,我们称作多子在进行扩散运动.;;形成内电场;;内电场会促进少子的漂移运动,也抑制了多子的扩散运动,虽然少子的量很少,随着漂移的增强,而扩散是越来越弱,最终会达到一种平衡。此时我们在这个空间就相当于有这么一个结,这个结不是面,是一段宽度,这段宽度就叫做PN结。;PN结一方面阻碍多子的扩散,另一方面加速少子的漂移;P型半导体;空间电荷层;形成电位势垒;当扩散与漂移作用平衡时;PN结形成过程动画演示;扩散使PN结变宽,使它的内电场变强,而漂移的作用又使空间电荷区变薄,最终PN结稳定在一定的宽度.
P型半导体和N型半导体一结合,在交界面上形成了稳定的电层,我们利用PN结的这个特性了解它是如何具备单向导电性.
还要利用这个特性设计制造二极管和三极管。
;1.空间电荷区中没有载流子。只剩下正负离子.;一个PN结就是一个二极管,在平衡状态下,PN结中没有电流。PN结最重要的特性是单向导电特性。;;PN结正向偏置;;当外加的偏置电压足以克服势垒电位时,电子就有足够的能量进入耗尽层并越过PN结。与P区中空穴复合。当这些电子离开N区后,会有更多的电子从电源的负端流出。;因此,导电电子(多数载流子)朝着PN结方向的移动产生了N区的电流。这些导电电子进入P区后与空穴复合,变成价电子。然后,价电子会一个一个空穴地向阳极方向移动。;价电子的移???实际上产生了空穴反方向的移动。所以P区中电流是由空穴(多数载流子)朝着PN结方向移动产生的。;PN结正偏动画演示;此时发光二极管不发光,说明PN结不导电。这个实验说明PN结(二极管)具有单向导电性。;PN结变宽;;因此,耗尽层变宽,N区中的正离子和P区中的负离子增加,直到两边的势垒差等于外加偏置电压。因此,当二极管反相偏置时,耗尽层相当于两个反相的带电离子层之间的绝缘体。;内电场增强;因少子浓度主要与温度有关,此电流称为反向饱和电流。有时候称作漏电流。这个漏电流的多少基本上是由本征激发所决定的.;PN结反偏动画演示;PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。演示A02204;按电容的定义;1.势垒电容CB;阻挡层内电荷量随外加电压变化?;势垒电容和外加电压的关系;2扩散电容CD;谢谢大家!
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