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ZnO薄膜的制备工艺、特性分析与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电子、传感器、透明导电薄膜等领域对新型材料的需求日益迫切。ZnO薄膜作为一种重要的无机半导体薄膜材料，凭借其独特的物理、化学和电学性质，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点之一。

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族具有六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带n型半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这种宽禁带特性使得ZnO薄膜在紫外光区域具有高透明性和光吸收性，而高激子结合能则保证了激子在室温下的稳定性，能够实现高效的室温激子复合发光，