同时放出特征X射线和俄歇电子.PPTVIP

半导体探测器相对气体探测器的优点：1）半导体的密度比气体的密度大许多（三个数量级），半导体探测器和电离室输出同样大小脉冲时，半导体探测器体积可小许多。2）半导体的平均电离能（约3V）比气体的平均电离能（约30V）小一个数量级带电粒子在半导体探测器内损失同样的能量产生的电子——空穴对多得多，电子——空穴对的统计涨落小得多，半导体探测器的能量分辨率要好得多。2.3.2PN结型半导体探测器一、PN结的形成PN结型半导体探测器是通过适当的特殊技术把掺有均匀杂质浓度的P型与N型半导体材料热力学接触而制成的探测元件。形成PN结的方法目前常用的有两种：一是离子注入法，即用加速器加速杂质离子使其掺入半导体基体表面以形成重掺杂层，另一种是表面位垒法，通常是在N型半导体与金或P型半导体与铝之间，由于两种材料中费米能级的差别，当它们紧密接触时会产生接触电位差，在半导体中会形成能带的变化，使它具有PN结的性质。图2.8给出PN结形成的物理过程和PN结中电荷密度分布、电场分布及电位分布。在图2.8（a）中，N型的电子和P型的空穴由于扩散和漂移通过交界面向对方运动过程中相遇复合，则形成载流子数大大减少而由杂质离子组成的耗尽区（即电子和空穴耗尽），即PN结。由于结区的杂质离子带有电荷，又称“空间电荷区”。PN结区是PN结型半导体探测器的灵敏区。常用的金硅面垒半导体探测器就是PN结型的，图2.9给出了金硅面探测器示意图。金硅面垒探测器示意图(a)示意图(b)结构图二、PN结的性质1、结区的电场分布PN结区的电场（内建电场）是不均匀的，x=0处最强，U(0)=VD，而x=-a和x=b处为零。电场方向由N区指向P区。在半导体探测器实际应用中，PN结加反向偏压，即P边为负，N边为正，这样可以使结区变宽。能加的最高偏置电压受到半导体探测器的电阻的限制，太高会将结区破坏。当加上偏置电压V0后，探测器极间电位差应为V0加内建电位差。2、结区厚度由以上可知，结区厚度d=a+b通常半导体探测器的结区中N区和P区的杂质浓度并不一样，往往作基体材料的杂质浓度小于另一种区域的杂质浓度。3、结区的电容结区厚度d∝,V0变化时d就变化，结区电荷量也要变化。结区电荷随外加电压的变化表明结区具有一定的电容，称为结电容。可利用平行板电容器的电容表示式。经单位变换后得：Cd的单位为F；式中s和d分别为结区面积和厚度，单位为cm2和cm；?0是介电常数（Si和Ge的介电常数为11.7F/m和15.7F/m）。4.窗厚常用PN结型金硅面垒半导体探测器探测P、?等重带电粒子和低能x及?射线，因此探测器的入射窗不能太厚。入射粒子通过探测器灵敏区之前的非耗尽层厚度称为窗厚。入射带电粒子只有在灵敏区内损失的能量对输出脉冲有贡献（或者说探测器输出脉冲幅度∝在灵敏区损失的能量），但在穿过一定厚度的窗时也会损失一部分能量，这部分能量对输出脉冲没有贡献。三、输出脉冲与气体探测器类似，其脉冲形成是入射到探测器灵敏体积内的带电粒子产生的电子空穴对在电场作用下向两极漂移的结果。探测器输出脉冲的形状与电子和空穴的收集时间有关，也与探测器的收集电路有关。、金硅面垒探测器灵敏区的电场分布是不均匀的，且入射粒子在灵敏区产生的电子空穴对的地点又不固定，所以探测器输出脉冲信号的理论计算很复杂。其最大输出脉冲幅度为：金硅面垒探测器主要用于测量带电粒子能谱。较厚的可探测低能x射线。2.3.3锂漂移型半导体探测器PN结型探测器的灵敏区厚度与材料电阻率和外加电压有关，N型和P型半导体的电阻率??103?·cm，而偏置电压又不可能太高（高了会造成雪崩击穿），因此灵敏区厚度很难达到2mm。它只能探测重带电粒子。为了用半导体探测器探测到?和?，人们利用Li的特点和漂移技术制成了锂漂移型半导体探测器。一、灵敏区的形成和灵敏区的特点1、灵敏区的形成以掺B的P型Si材料作基体为例，P型Si中受主杂质浓度na均匀分布，在基体的一面渡一层金属锂（Li），其特点一是Li的电离电位低，如在Si中为0.033eV，Ge中为0.093eV，因此常温下Li也会电离成Li+和电子；二Li+的半径（6x10-2nm）小于晶格间隙（Si和Ge的晶格间隙分别为5.42x10-1nm和5.46x10-1nm），Li+可以在晶体中运动；三是Li+的迁移率大，且温度越高迁移率越大。由于Li+迁移率大，浓度