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半导体公司试题及答案

一、单选题（每题1分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度与其导电性之间的关系是（）

A.禁带宽度越大，导电性越好

B.禁带宽度越小，导电性越好

C.禁带宽度与导电性无关

D.无法确定

【答案】B

【解析】禁带宽度越小，半导体材料越容易激发电子跃迁到导带，导电性越好。

2.在N型半导体中，主要的载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

【答案】A

【解析】N型半导体中，掺入五价杂质元素，电子成为主要载流子。

3.晶体三极管的工作区域不包括（）

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.击穿区

【答案】D

【解析】晶体三极管的工作区域包括放大区、饱和区和截止区，击穿区是破坏性区域，不属于正常工作范围。

4.MOSFET的英文全称是（）

A.Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor

B.Metal-Oxide-SemiconductorFET

C.Metal-Oxide-SemiconductorTransistor

D.Metal-Oxide-Field-EffectTransistor

【答案】A

【解析】MOSFET的英文全称是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor。

5.半导体器件的热稳定性主要由其（）决定

A.禁带宽度

B.本征载流子浓度

C.掺杂浓度

D.临界击穿电压

【答案】A

【解析】禁带宽度越大，半导体材料的稳定性越好，热稳定性也越高。

6.光电二极管的PN结在反向偏置时（）

A.导通

B.截止

C.既能导通又能截止

D.无法确定

【答案】B

【解析】光电二极管在反向偏置时处于截止状态，只有在光照条件下才会产生电流。

7.MOSFET的栅极绝缘层通常采用（）

A.SiO2

B.Si3N4

C.Al2O3

D.Ga2O3

【答案】A

【解析】MOSFET的栅极绝缘层通常采用SiO2（二氧化硅）材料。

8.晶体管的输入电阻和输出电阻与其工作区域的关系是（）

A.放大区输入电阻高，输出电阻低

B.放大区输入电阻低，输出电阻高

C.饱和区输入电阻高，输出电阻高

D.截止区输入电阻低，输出电阻低

【答案】A

【解析】晶体管在放大区工作时，输入电阻较高，输出电阻较低。

9.CMOS电路的功耗主要来源于（）

A.静态功耗

B.动态功耗

C.热功耗

D.集成功耗

【答案】B

【解析】CMOS电路的功耗主要来源于动态功耗，即开关过程中的功耗。

10.半导体器件的击穿电压与其（）有关

A.掺杂浓度

B.封装材料

C.工作温度

D.以上都是

【答案】D

【解析】半导体器件的击穿电压与其掺杂浓度、封装材料和工作温度等因素有关。

11.晶体管的放大倍数与其（）有关

A.基极电流

B.集电极电流

C.发射极电流

D.以上都是

【答案】D

【解析】晶体管的放大倍数与其基极电流、集电极电流和发射极电流等因素有关。

12.半导体材料的禁带宽度与其带隙的关系是（）

A.禁带宽度越大，带隙越大

B.禁带宽度越小，带隙越小

C.禁带宽度与带隙无关

D.无法确定

【答案】A

【解析】禁带宽度越大，带隙也越大。

13.MOSFET的阈值电压与其（）有关

A.栅极材料

B.掺杂浓度

C.工作温度

D.以上都是

【答案】D

【解析】MOSFET的阈值电压与其栅极材料、掺杂浓度和工作温度等因素有关。

14.光电二极管的工作原理是（）

A.光电效应

B.霍尔效应

C.热电效应

D.以上都是

【答案】A

【解析】光电二极管的工作原理是光电效应，即光照射到PN结时产生电流。

15.晶体管的输入电阻和输出电阻与其工作区域的关系是（）

A.放大区输入电阻高，输出电阻低

B.放大区输入电阻低，输出电阻高

C.饱和区输入电阻高，输出电阻高

D.截止区输入电阻低，输出电阻低

【答案】A

【解析】晶体管在放大区工作时，输入电阻较高，输出电阻较低。

16.CMOS电路的功耗主要来源于（）

A.静态功耗

B.动态功耗

C.热功耗

D.集成功耗

【答案】B

【解析】CMOS电路的功耗主要来源于动态功耗，即开关过程中的功耗。

17.半导体器件的击穿电压与其（）有关

A.掺杂浓度

B.封装材料

C.工作温度

D.以上都是

【答案】D

【解析】半导体器件的击穿电压与其掺杂浓度、封装材料和工作温度等因素有关。

18.晶体管的放大倍数与其（）有关

A.基极电流

B.集电极电流

C.发射极电流

D.以上都是

【答案】D

【解析】晶体管的放大倍数与其基极电流、集电极电流和发射极电流等因素有关。

19.半导体材料的禁带宽度与其带隙的关系是（）

A.禁带宽度越大，带隙越大

B.禁带宽度越小，带隙越小

C.禁带宽度与带隙无关

D.无法确定

【答案】A

【解析