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半导体物理学试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内。）

1.在半导体中，能带的形成主要是由于（）。

A.电子自旋简并

B.原子核的库仑场

C.原子能级在晶体周期场作用下展宽形成能带

D.晶格离子的相互作用抵消

2.对于理想的N型半导体，其费米能级（E0xE20x820x9F）位于（）。

A.导带底以下

B.价带顶以上

C.导带底和价带顶之间，靠近导带底

D.导带底和价带顶之间，靠近价带顶

3.空间电荷区的存在是由于（）。

A.PN结内建电场的作用

B.外加电压驱动载流子扩散

C.半导体材料的禁带宽度不同

D.多数载流子向对方区域扩散并复合

4.当PN结外加正向电压时，其耗尽层宽度将（）。

A.保持不变

B.减小

C.增大

D.形成反向偏置时的两倍

5.载流子在半导体中做漂移运动的主要原因是（）。

A.载流子扩散

B.半导体内建电场的作用

C.载流子与声子、杂质等的碰撞

D.外加电场的驱动

6.载流子在半导体中做扩散运动的主要原因是（）。

A.载流子浓度梯度的存在

B.半导体内建电场的作用

C.载流子热运动

D.外加电场的驱动

7.理想PN结的I-V特性曲线所遵循的物理规律是（）。

A.欧姆定律

B.超导定律

C.简单的线性关系

D.肖特基方程（或指数关系）

8.温度升高，半导体中本征载流子浓度（n0xE20x820x9F0xE20x820x9F）将（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

9.在漂移电流中，载流子的运动方向与（）方向相同。

A.载流子浓度梯度

B.电场方向

C.扩散方向

D.耗尽层宽度变化

10.对于MOS电容，当gatevoltage(V0xE10xB50xA8)大于阈值电压(V0xE20x820x99)时，其等效电容主要由（）决定。

A.氧化层电容

B.半导体体电容

C.耗尽层电容

D.接触电容

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在题中的横线上。）

1.半导体材料的禁带宽度通常在______eV到______eV之间。

2.有效质量是描述电子在势场中运动性质的物理量，它反映了电子在晶体周期势场中______的等效惯性质量。

3.当PN结处于零偏置时，其内建电场方向由______区指向______区。

4.载流子的漂移电流密度j0xE10xB50xA3与电场强度E的关系为j0xE10xB50xA3=σE，其中σ是______，它的物理意义是______。

5.载流子的扩散电流密度j0xE10xB50xA0与载流子浓度梯度?n的关系为j0xE10xB50xA0=-qD?n，其中D是______，它的物理意义是______。

6.在理想PN结的P区，多数载流子是______，少数载流子是______。

7.耗尽层是指PN结内由于扩散和复合，形成了______和______区，这些区域基本上没有（或极少有）自由载流子的区域。

8.根据爱因斯坦关系式，载流子的漂移运动迁移率μ0xE10xB50xA3与扩散运动迁移率μ0xE10xB50xA0的关系为qμ0xE10xB50xA3=______。

9.MOS电容中，当gatevoltage(V0xE10xB50xA8)小于阈值电压(V0xE20x820x99)时，通常认为半导体中只有______载流子。

10.半导体中，载流子的平均自由程l定义为载流子相邻两次______之间的平均距离。

三、名词解释（每小题3分，共15分。）

1.能带

2.本征载流子浓度

3.耗尽层宽度

4.扩散电流

5.阈值电压

四、简答题（每小题5分，共25分。）

1.简述半导体中能带形成的物理原因。

2.解释什么是内建电场及其方向。

3.简述载流子漂移运动和扩散运动的区别。

4.说明为什么PN结具有单向导电性。

5.温度对半导体中多数载流子浓度和本征载流子浓度有何影响？

五、计算题（每小题1