GaN基LED与ZnO纳米线阵列：制备工艺、特性及应用探索.docx

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2025-11-30 发布于上海
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GaN基LED与ZnO纳米线阵列：制备工艺、特性及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）和氧化锌（ZnO）纳米线阵列作为重要的光电器件材料，受到了广泛的关注。GaN基LED凭借其高亮度、高效率、长寿命等优势，已成为照明、显示、通信等领域的关键器件。在照明领域，GaN基LED的高效发光特性大幅降低了能源消耗，推动了照明行业的绿色发展；在显示领域，其高亮度和色彩饱和度为用户带来了更清晰、逼真的视觉体验。而ZnO纳米线阵列作为一种新型的一维纳米材料，具有大比表面积、良好的化学稳定性和独特的光电性能，在传感器、太阳能电池、场发