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CSMCHJ扩散部工艺培训

----主要设备、热氧化、扩散、合金

扩散部2002年7月

前言：

扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。

目录

第一章：扩散区域设备简介……

第二章：氧化工艺

第三章：扩散工艺

第四章：合金工艺

用材料。在电容的制作过程中，电容的面积和光刻、腐蚀有较大的关系，而厚度则由二氧化硅的厚度决定。

2．1．4集成电路的隔离介质

N-WellSiO

N-Well

SiO2

Si(P)

P-Well

Si3N4

2．1．5MOS场效应晶体管的绝缘栅材料

二氧化硅的厚度和质量直接决定着MOS场效应晶体管的多个电参数，因此在栅氧化的工艺控制中，要求特别严格。

N-Well

N-Well

Si(P)

P-Well

SiO2

Poly

Gate-oxide

2．2热氧化方法介绍

2．2．1干氧氧化

干氧氧化化学反应式：Si+O2==SiO2

氧分子以扩散的方式通过氧化层到达二氧化硅-硅表面，与硅发生反应，生成一定厚度的二氧化硅层。

干氧化制作的SiO2结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢；一般用于高质量的氧化，如栅氧等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。

2．2．2水汽氧化

水汽氧化化学反应式：2H2O+Si==SiO2+2H2

水汽氧化生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，有较多缺陷。对光刻胶的粘附性较差，我们公司不采用此方法。

2．2．3湿氧氧化

湿氧氧化反应气体中包括O2和H2O，实际上是两种氧化的结合使用。

湿氧氧化化学反应式：

H2+O2==H2O

H2O+Si==SiO2+2H2

Si+O2==SiO2

湿氧氧化的生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；在今天的工艺中H2O的形成通常是由H2和O2的反应得到；因此通过H2和O2的流量比例来调节O2和H2O的分压比例，从而调节氧化速率，但为了安全，H2/O2比例不可超过1.88。

湿氧氧化的氧化层对杂质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求，并且氧化速率比干氧氧化有明显提高，因此在厚层氧化中得到了较为广泛的应用，如场氧化等。

2．2．4掺氯氧化

氧化气体中掺入HCL或DCE（C2H2Cl2）后，氧化速率及氧化层质量都有提高。人们从两个方面来解释速率变化的原因，其一：掺氯氧化时反应产物有H2O，加速氧化；其二：氯积累在Si-SiO2界面附近，氯与硅反应生成氯硅化物，氯硅化物稳定性差，在有氧的情况下易转变成SiO2，因此，氯起了氧与硅反应的催化剂的作用。并且氧化层的质量也大有改善，同时能消除钠离子的沾污，提高器件的电性能和可靠性。热氧化过程中掺入氯会使氧化层中含有一定量的氯原子，从而可以减少钠离子沾污，钝化SiO2中钠离子的活性，抑制或消除热氧化缺陷，改善击穿特性，提高半导体器件的可靠性和稳定性。

我们公司大多数干氧氧化都含有掺氯氧化。

2.3热氧化过程中的硅片表面位置的变化

如果热生长的二氧化硅厚度是X0（um），所消耗的硅厚度为X1，则：

a=X1/X0=0.46

Si-SiO界面原始硅表面SiO2表面即生长1um的SiO

Si-SiO界面

原始硅表面

SiO2表面

54%

100%

46%

2．4影响氧化速率的因素

2．4．1热氧化模型简介

硅片的热氧化过程是氧化剂穿透二氧化硅层向二氧化硅和硅界面运动并与硅进行反应。Deal-Grove方程具体描述了这种热氧化过程。

Deal-Grove膜厚方程式：

X2+AX=B（t+?）

式中：

A=2D0*（1/KS+1/h）

B=2D0*N*/n

?=（XI2+A*XI）/B

D0：氧化剂在二氧化硅中的有效扩散系数；h：气相输运常数

KS：界面反应速率常数；N*：氧化剂在氧化层中的平衡浓度

XI：初始氧化层厚度；n：形成单位体积二氧化硅所需的氧分子数

极限情况1：短时间氧化时

X=（B/A）*tB/A：线性氧化速率常数

极限情况2：长时间氧化时