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CdSiP2晶体中缺陷与光学性质关系的第一性原理深度剖析.docx

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    CdSiP2晶体中缺陷与光学性质关系的第一性原理深度剖析

    一、绪论

    1.1研究背景与意义

    随着现代科技的飞速发展，非线性光学材料在激光技术、光通信、光学传感等众多领域发挥着举足轻重的作用。其中，CdSiP2晶体作为一种极具潜力的红外非线性光学材料，凭借其独特的性能优势，吸引了众多科研工作者的目光。

    CdSiP2晶体具备宽红外透过范围，从0.5μm至9μm，这使其在红外波段的光传输和频率转换等应用中表现出色；其非线性光学系数大，高达d36=84.5pm/V，相比其他同类晶体，如ZnGeP2、AgGaS2、AgGaSe2等，具有更强的非线性光学效应，能更高效地实现激光频率

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