半导体制造工艺基础教材.pptVIP

;光刻的定义

光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂;集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的进一步发展有密切的关系。

通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。;光刻的要求;1.高分辨率

分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。

随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。

通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。;2.高灵敏度

灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量,要求光刻周期越短越好，这就要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。;4.大尺寸硅片的加工

提高了经济效益

但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难

高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量;光学图形曝光－洁净室;35％的成本来自于光刻工艺;IC掩模版;空间图像;掩膜版制作;;掩模版制作过程;成品率Y:;光刻机;三种硅片曝光模式及系统;步进投影式光刻机原理图;DSW－directsteponwafer;接触式和接近式——近场衍射（Fresnel）

像平面靠近孔径，二者之间无镜头系统;接触和接近式;对遮蔽式曝光，最小线宽（临界尺寸）可用下式表示;投影式——远场衍射（Fraunhofer）

像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头;瑞利给出恰可分辨两个物点的判据：;两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据):;由于有较高的光强度与稳定度，高压汞灯被广泛用作曝光光源。;投影式;?为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：;;光刻胶;正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面

负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面。

;負光阻;汞灯436nm(g线)和365nm(i线)光刻胶??组成

（正胶－positivephotoresist,DNQ）;负胶(NegativeOpticalPhotoresist)

;负胶的组成部分：

a)基底：合成环化橡胶树脂

(cyclizedsyntheticrubberrisin)

对光照不敏感，但在有机溶剂如甲苯和二甲苯中溶解很快

b)光敏材料PAC：双芳化基(bis-arylazide)

当光照后，产生交联的三维分子网络，使光刻胶在显影液中具有不溶性。

c)溶剂：芳香族化合物(aromatic)

;光刻胶的表征参数：

1、对比度：胶区分亮区和暗区的能力