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;第一节电力电子器件概述

第二节不可控器件——电力二极管

第三节半控型器件——晶闸管

第四节典型全控型器件

第五节其他新型电力电子器件

第六节功率集成电路与集成电力电子模块

本章小结及作业;2.3半控型器件—晶闸管;2.3半控型器件——晶闸管;2.3.1晶闸管的结构与工作原理;螺栓型晶闸管;2、晶闸管的其它封装形式：

还有塑封和模块式两种封装。;符号;;T1;晶闸管导通后，去掉EG，依靠正反馈，仍可维持导通状态。;按晶体管的工作原理，得：;在低发射极电流下?是很小的，而当发射极电流建立起来之后，?迅速增大。

阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。

开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。;晶闸管导通的条件：;晶闸管关断的条件：;1.静态特性

承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；伏安特性类似二极管的反向特性;

承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用；

要使晶闸管关断，只有使晶闸管承受反向电压，或使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。;晶闸管伏安特性;晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出。

阴极是晶闸管主电路与控制电路的公共端。

门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的。

晶闸管的门极和阴极之间是PN结J3，其伏安特性称为门极伏安特性。为保证可靠、安全的触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。;1)开通过程

延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。

上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。

开通时间tgt为以上两者之和，

tgt=td+tr

普通晶闸管延迟时间为：0.5~1.5?s，上升时间为：0.5~3?s。;2)关断过程

反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间。

???向阻断恢复时间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间。

在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。

实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。

关断时间tq：即tq=trr+tgr普通晶闸管的关断时间约几百微秒。;开通过程

延迟时间td(0.5~1.5?s)

上升时间tr(0.5~3?s)

开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+tr;2.3.3晶闸管的主要参数;晶闸管伏安特性;2.电流定额

1)??通态平均电流IT(AV)

即额定电流---晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管。应留一定的裕量，一般取1.5~2倍。;2)?维持电流IH——使晶闸管维持导通所必需的最小电流（一般为几十到几百毫安，与结温有关，结温越高，则IH越小。

3)?擎住电流IL——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。

4)浪涌电流ITSM——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。;3.动态参数

除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：

(1)?断态电压临界上升率du/dt

指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。

(2)?通态电流临界上升率di/dt

指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。

如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。;晶闸管型号及其含义;2.3.4晶闸管的派生器件;工作原理：;3.逆导晶闸管（ReverseConductingThyristor——RCT）

将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件

4.光控晶闸管（LightTriggeredThyristor——LTT）

又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管,适用于功率更大场合。