LED芯片的制造基本工艺作业流程简介.docVIP

LED芯片制造工艺步骤介绍

LED芯片制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）、测试工序（InitialTestandFinalTest）等多个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。

1、晶圆处理工序

本工序关键工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常和产品种类和所使用技术相关，但通常基础步骤是先将晶圆合适清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工和制作。

2、晶圆针测工序

经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个小格，即晶粒，通常情况下，为便于测试，提升效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格产品；但也可依据需要制作多个不一样品种、规格产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特征，并将不合格晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独晶粒，再按其电气特征分类，装入不一样托盘中，不合格晶粒则舍弃。

3、构装工序

就是将单个晶粒固定在塑胶或陶瓷制芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出部分引接线端和基座底部伸出插脚连接，以作为和外界电路板连接之用，最终盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目标是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里能够看到那些黑色或褐色，两边或四边带有很多插脚或引线矩形小块）。

4、测试工序

芯片制造最终一道工序为测试，其又可分为通常测试和特殊测试，前者是将封装后芯片置于多种环境下测试其电气特征，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后芯片，依其电气特征划分为不相同级。而特殊测试则是依据用户特殊需求技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性专门测试，看是否能满足用户特殊需求，以决定是否须为用户设计专用芯片。经通常测试合格产品贴上规格、型号及出厂日期等标识标签并加以包装后即可出厂。而未经过测试芯片则视其达成参数情况定作降级品或废品。

LED芯片制造工艺步骤：

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

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LED芯片制造工艺步骤

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其实外延片生产制作过程是很复杂，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片关键用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上不一样位置抽取九个点做参数测试。

1、关键对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数晶圆片再继续做下一步操作，假如这九点测试不符合相关要求晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数显微镜下进行目测。

3、接着使用全自动分类机依据不一样电压，波长，亮度估计参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、最终对LED芯片进行检验（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必需确保每张蓝膜上芯片数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据统计在标签上，附在蜡光纸后面。蓝膜上芯片将做最终目检测试和第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这么就制成LED芯片（现在市场上统称方片）。在LED芯片制作过程中，把部分有缺点或电极有磨损芯片，分捡出来，这些就是后面散晶，此时在蓝膜上有部分不符合正常出货要求晶片，也就自然成了边片或毛片等。

刚才谈到在晶圆上不一样位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给用户了，也就是现在市场上LED大圆片（不过大圆片里也有好东西，如方片）。

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