第3章材料的磁学 (2).pptVIP

3.4技术磁化与磁滞现象3.4.1磁畴结构磁畴畴壁磁化相关能磁畴成因3.4.2技术磁化畴壁位移磁畴转动磁化曲线3.4.3磁滞现象磁滞概念磁滞回线技术参数*第29页，共75页，星期日，2025年，2月5日3.4.1磁畴结构磁畴：形状、尺寸，转动（可逆+不可逆）畴壁：类似、厚度，位移（可逆+不可逆）1.磁畴磁畴是磁体中沿某一方向饱和磁化的微小区域，低于居里温度自发磁化的磁体，由于退磁能的作用，将分成沿不同方向磁化的许多磁畴，磁矩相互抵消，一般情况无外磁场时，磁体的宏观磁化强度为零。*第30页，共75页，星期日，2025年，2月5日磁畴结构示意图晶界畴壁磁距1800畴壁和900畴壁，1）种类，按角度2）单晶和多晶[自发磁化]*第31页，共75页，星期日，2025年，2月5日2.畴壁理论和实验都证明，在两个相邻磁畴之间原子层的自旋取向由于交换作用的缘故，不可能发生突变，而是逐渐的变化，从而形成一个有一定厚度的过渡层，称为畴壁。按畴壁两边磁化矢量的夹角来分类，可以把畴壁分成1800壁和900壁两种类型。在具有单轴各向异性的理想晶体中，只有1800壁。在K1＞0的理想立方晶体中有1800壁和900壁两种类型。在K1＜0的理想立方晶体中除去1800和900壁外，还可能有1090和710壁，实际晶体中，由于不均匀性，情况要复杂得多。nm级*第32页，共75页，星期日，2025年，2月5日立方晶系，易磁向〈100〉180壁和90壁180畴壁畴90壁*第33页，共75页，星期日，2025年，2月5日在大块晶体中，当磁化矢量从一个磁畴内的方向过渡到相邻磁畴内的方向时，转动的仅仅是平行于畴壁的分量，垂直于畴壁的分量保持不变，这样就避免了在畴壁的两侧产生磁荷，防止了退磁能的产生。1)Bloch壁XyzXy*第34页，共75页，星期日，2025年，2月5日在薄膜样品中,自旋取向始终平行于薄膜表面转向，在畴壁面内产生了磁荷和退磁场，但在样品表面没有了退磁场。2)Neel壁Xyz*第35页，共75页，星期日，2025年，2月5日Neel壁Bloch壁试样变厚，增大，Bloch壁变薄，面内退磁场降低；试样变薄，减小，Neel壁变宽，面内退磁场降低。*第36页，共75页，星期日，2025年，2月5日3.磁化相关能量磁化实质：跨越磁畴、单晶尺度的磁畴结构变化:畴壁位移（平动）和磁畴（自发磁化矢量）转动；磁化状态，满足平衡状态下总自由能最小化原理。构成此总自由能的能量，包括：磁晶各向异性能、静磁能、磁弹性能、交换能等。这些能量及其最小化对磁畴结构有重要影响，例如：◆磁畴产生?自旋交换能作用◆磁畴运动?磁力距使然◆磁畴大小?各种能量的平衡*第37页，共75页，星期日，2025年，2月5日（1）静磁能（磁势能）EH静磁能：磁矩在外磁场作用下具有的势能（磁势能）：（宏观、微观尺度）*第38页，共75页，星期日，2025年，2月5日（2）交换作用能Eex铁磁物质原子磁距趋向于平行排列，即自发磁化至饱和，称为自发磁化。对于过渡金属原子，其3d、4s轨道能量相差不大，3d具有空轨道，当它们形成晶体时，电子云重叠使s、d轨道电子再分配、交换，这种交换产生一种交换能Eex。当A0，交换能最小，要求相邻自旋角动量平行排列，即磁距自发磁化（铁磁性）；当A0，要求反向排列（反铁磁性）（畴壁尺度）*第39页，共75页，星期日，2025年，2月5日（3）磁晶各向异性能Ek在单晶体的不同晶向上，磁性能（自发磁化）是不同的，称为磁晶各向异性，因此消耗的磁化功不同。（单晶尺度）*第40页，共75页，星期日，2025年，2月5日α、β、γ为M与三个晶轴的方向余弦，K0、K1、K2代表晶体各向异性常数。磁晶各向异性起源，可按自旋－轨道相互作用模型解释：一、电子轨道磁距产生的磁场对电子自旋运动作用，使轨道和自旋间存在耦合作用；二、受晶体场影响，原子磁距倾向于在晶体的某些方向上能量最低，而在另一些方向能量高。原子磁距最低的方向为易磁化方向，而能量高的方向为难磁化方向。在无磁场作用的平衡状态下，原子磁距倾向于排列在易磁化方向上。*第41页，共75页，星期日，2025年