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半导体行业半导体设备工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（10题，每题1分）

1.半导体制造中，用于在晶圆上转移电路图案的核心设备是______。（光刻机）

2.刻蚀工艺中常用的含氟气体是______（举例一种）。（SF?/CHF?等）

3.化学气相沉积（CVD）设备的核心部件是______。（反应腔室）

4.12英寸晶圆的直径约为______毫米。（300）

5.半导体洁净室的等级通常用______表示（如Class100）。（每立方英尺含尘量）

6.真空系统中，用于获得高真空的泵是______。（分子泵/涡轮泵）

7.光刻工艺的关键步骤包括涂胶、曝光和______。（显影）

8.物理气相沉积（PVD）的典型工艺是______。（溅射/蒸发）

9.设备维护中，用于检测真空泄漏的常用工具是______。（氦质谱检漏仪）

10.半导体设备的“UPTIME”指设备______的时间占比。（有效运行）

二、单项选择题（10题，每题2分）

1.极紫外（EUV）光刻机的光源波长约为？（）

A.193nmB.13.5nmC.248nmD.365nm

答案：B

2.以下哪项不是刻蚀设备的核心参数？（）

A.刻蚀速率B.均匀性C.膜厚D.选择比

答案：C

3.洁净室中，人员进入前必须进行的操作是？（）

A.更换普通工服B.风淋除尘C.佩戴金属饰品D.直接进入

答案：B

4.真空泵的维护中，最需要定期更换的是？（）

A.泵油B.腔体C.传感器D.电源

答案：A

5.以下哪种气体常用于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）？（）

A.O?B.N?C.SiH?D.Ar

答案：C

6.光刻机的分辨率主要取决于？（）

A.光源波长B.晶圆尺寸C.腔室温度D.气体流量

答案：A

7.设备报警“VacuumPressureHigh”可能的原因是？（）

A.分子泵正常工作B.真空泄漏C.气体流量过低D.温度过高

答案：B

8.以下哪类设备不属于薄膜沉积设备？（）

A.PVDB.CVDC.刻蚀机D.ALD

答案：C

9.半导体设备的“PM”指？（）

A.生产管理B.预防性维护C.工艺监控D.性能测试

答案：B

10.晶圆传输时，常用的机械臂类型是？（）

A.直角坐标型B.关节型C.圆柱坐标型D.SCARA型

答案：D

三、多项选择题（10题，每题2分）

1.以下属于光刻设备子系统的有？（）

A.光源系统B.光学系统C.真空系统D.涂胶显影系统

答案：ABD

2.刻蚀工艺的分类包括？（）

A.干法刻蚀B.湿法刻蚀C.等离子刻蚀D.化学刻蚀

答案：AB

3.洁净室的“三控”要求是？（）

A.控温B.控湿C.控尘D.控压

答案：ABC

4.真空泵的类型包括？（）

A.机械泵B.分子泵C.离子泵D.离心泵

答案：ABC

5.设备日常巡检需检查的内容有？（）

A.报警信息B.真空度C.气体压力D.设备外观

答案：ABCD

6.以下属于半导体设备关键性能指标（KPI）的是？（）

A.良率B.UPTIMEC.产能D.能耗

答案：BCD

7.光刻胶的主要成分包括？（）

A.树脂B.感光剂C.溶剂D.金属颗粒

答案：ABC

8.设备故障排查的基本步骤包括？（）

A.记录现象B.分析可能原因C.更换所有部件D.验证修复效果

答案：ABD

9.以下哪些气体属于腐蚀性气体？（）

A.HClB.NH?C.N?D.Ar

答案：AB

10.半导体设备工程师的核心职责包括？（）

A.设备操作B.维护保养C.工艺开发D.故障修复

答案：ABD

四、判断题（10题，每题2分）

1.光刻机可以在普通实验室环境中使用。（×）

2.干法刻蚀的精度通常高于湿法刻蚀。（√）

3.洁净室等级数值越大，洁净度越高。（×）

4.PVD是通过化学反应在晶圆表面沉积薄膜。（×）

5.设备维护（PM）的目的是减少突发故障。（√）

6.真空系统中，机械泵可直接获得高真空。（×）

7.光刻工艺中，曝光后无需显影即可完成图案转移。（×）

8.刻蚀选择比越高，对下层材料的损伤越小。（√）

9.设备报警时，应立即断电重启。（×）

10.晶圆传输时，需佩戴普通手套防止污染。（×）

五、简答题（4题，每题5分）

1.简述半导体设备日常维护的重点内容。

答案：日常维护重点包括：①检查设备运行状态（如真空度、温度、压力）；②清洁关键部件（如反应腔、传输机械臂）；③更换易损耗材（如泵油、滤芯）；④校准传感器（如气体流量计、真空计）；⑤记录报警信息并排查隐患，确保设备稳定运行。

2.光刻工艺的核心参数有哪些？各有何影响？

答案：核心参数包括：①分辨率（决定最小图案尺寸）；②套刻精度（影响多层图案对齐）；③均匀性（影响晶圆不同区域的图案一致性）；④线宽粗糙度（影响器件性能稳定性）。这些参数直接决定芯片制造的良率和性能。

3.设备真空度异