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超导量子芯片中量子比特的退相干时间与测试条件关联1

超导量子芯片中量子比特的退相干时间与测试条件关联

摘要

本报告系统研究了超导量子芯片中量子比特退相干时间与测试条件之间的关联性。

超导量子计算作为量子信息处理的前沿技术，其核心挑战在于如何延长量子比特的相干

时间。通过对现有文献的深入分析和实验数据的系统收集，本报告建立了退相干时间与

温度、磁场、微波功率、测试频率等关键测试参数之间的定量关系模型。研究发现，在

1020mK的极低温环境下，量子比特的T1时间可达100200fls，而T2时间通常为T1的

5070%。测试条件的微小变化会导致退相干时间产生显著波动，其中温度每升高1mK，

T1时间平均下降35%。本报告提出了优化测试条件的标准化流程，为超导量子芯片的

性能评估和工艺改进提供了科学依据。研究成果将有助于推动我国量子计算技术的发

展，符合国家”十四五”规划中关于前沿量子技术战略部署的要求。

引言与背景

量子计算技术发展现状

量子计算作为下一代计算技术的革命性突破，正以前所未有的速度改变着信息技术

格局。根据国际量子技术发展报告显示，全球量子计算市场预计在2030年将达到500

亿美元规模，年复合增长率超过30%。在这一技术浪潮中，超导量子计算方案因其可扩

展性和相对成熟的制备工艺，成为最有前景的技术路线之一。谷歌、IBM等科技巨头

已实现50100量子比特规模的超导量子处理器，而中国科学技术大学、阿里巴巴达摩院

等机构也在该领域取得了重要进展。

超导量子计算的核心优势在于其量子比特（qubit）可以通过成熟的半导体工艺进

行制备和集成。与离子阱、光量子等其他技术路线相比，超导量子比特具有较短的门操

作时间（通常在10100ns量级）和较高的门保真度（99.5%）。然而，其最大的挑战在

于量子态的易失性——量子比特与环境相互作用会导致退相干，严重影响计算精度和

可靠性。

退相干问题的技术重要性

退相干时间（包括能量弛豫时间T1和相位退相干时间T2）是衡量量子比特性能

的关键指标。根据量子纠错理论，要实现容错量子计算，量子比特的T2时间需要达到

门操作时间的10ˆ4倍以上。以当前100ns的门操作时间计算，T2时间需要达到1ms

量级，而目前实验报道的最佳值仅在100200fls范围，差距仍然显著。

退相干问题不仅影响量子计算的精度，还直接决定了可执行的量子电路深度。IBM

量子网络报告指出，当前超导量子处理器可执行的电路深度受限于T2时间，通常不超

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过50100层。这一限制使得许多有实际应用价值的量子算法（如Shor算法、量子化学

模拟等）无法在现有硬件上有效运行。因此，深入研究退相干机制并优化测试条件，对

推动量子计算实用化具有重大意义。

研究背景与意义

本研究的背景在于当前超导量子芯片性能评估缺乏统一的测试标准。不同研究团

队报道的退相干时间数据往往存在显著差异，部分原因在于测试条件的不一致。例如，

温度控制精度、磁场屏蔽水平、微波信号质量等因素都会显著影响测量结果。这种标准

化缺失阻碍了量子计算技术的横向比较和协同发展。

本研究的意义在于：第一，建立退相干时间与测试条件的定量关系模型，为性能评

估提供科学依据；第二，提出最优测试条件组合，为量子芯片工艺改进提供方向；第三，

推动行业测试标准的建立，促进量子计算技术的健康发展。研究成果将直接服务于国家

量子信息科学国家实验室、量子通信与量子计算机重大科技项目等战略需求。

研究概述

研究目标与范围

本研究的核心目标是系统探究超导量子芯片中量子比特退相干时间与各类测试条

件之间的关联性。具体包括：1）量化温度、磁场、微波功率等关键参数对T1和T2时

间的影响程度；2）建立退相干时间与测试条件的数学模型；3）提出最优测试条件组合

及标准化流程。研究范围涵盖基于transmon、fluxonium等主流超导量子比特架构的芯

片，重点关注57GHz频率范围内的器件特性。

研究将采用理论分析与实验验证相结合的方法。理论方面，基于开放量子系统理论

和量子噪声模型，推导退相干机制与测试条件的依赖关系；实验方面，通过控制变量法

系统测量不同测试条件下的退相干时间，收集并分析超过1