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*1.5其他新型电力电子器件1.5.1MOS控制晶闸管MCT1.5.2静电感应晶体管SIT1.5.3静电感应晶闸管SITH1.5.4集成门极换流晶闸管IGCT1.5.5功率模块与集成电路*1.5.3静电感应晶闸管SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。工作原理与SIT类似，门极和阳极电压均能通过电场控制阳极电流。制造工艺比GTO复杂、特性多与GTO相似，开关速度比GTO快，是大容量快速器件。是正常导通型，也是正常关断型，电流关断增益较小。静电感应晶体管SITH（场控晶体管）SITH在SIT的漏极层上加一层与漏极层导电类型不同的发射极层比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结*1.5其他新型电力电子器件1.5.1MOS控制晶闸管MCT1.5.2静电感应晶体管SIT1.5.3静电感应晶闸管SITH1.5.4集成门极换流晶闸管IGCT1.5.5功率模块与集成电路*1.5.4集成门极换流晶闸管IGCT集成门极换流晶闸管IGCT(门极换流晶闸管GCT)将IGBT与GTO优点结合在一起容量与GTO相当开关速度比GTO快10倍省去GTO应用时庞大复杂的缓冲电路驱动功率仍然大*1.5其他新型电力电子器件1.5.1MOS控制晶闸管MCT1.5.2静电感应晶体管SIT1.5.3静电感应晶闸管SITH1.5.4集成门极换流晶闸管IGCT1.5.5功率模块与集成电路*1.4.2门极可关断晶闸管1.GTO的结构和工作原理结构GKGKGN2N1N2P2P1AGKAa)b)c)图1-13GTO内部结构和电气图形符号a)各单元的阴极、门极间排列的图形b)并联单元结构断面示意图c)电气图形符号*与普通晶闸管的相同点PNPN四层半导体结构外部引出阳极、阴极和门极与普通晶闸管的不同点内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元的多元功率集成器件GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起工作原理与普通晶闸管一样可以用双晶体管模型来分析*图1-7晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a)双晶体管模型b工作原理)GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。*2.GTO的动态特性SnubberAkG触发关断脉冲不用保持，关断时间几个微秒，但是需要很大的门电流（1/3阳极电流），关断时，为了限制dv/dt，要用Snubber电路（切断感性负载）。开关时间几个微秒到25微秒，导通压降2-3V、比晶闸管稍微高一点。最大优点是能处理高电压和大电流，现在最大容量6KV/4KA，开关频率几百HZ—10KHZ。图1-14GTO的开关和关断过程电流波形tstdtrtfttiGt0t1t2t3t4t5t6t0IAiA90%IA10%IAt0*关断时间toff储存时间和下降时间之和3.GTO的主要参数最大可关断阳极电流IATOGTO额定电流电流关断增益?off最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比。boff=ATOIGM___________I(1-8)开通时间ton延迟时间与上升时间之和*1.4典型全控型器件1.4.1理想的可控开关元件1.4.2门极可关断晶闸管1.4.3电力晶体管1.4.4电力场效应晶体管1.4.5绝缘栅双极晶体管*1.4.3电力晶体管电力晶体管耐高电压、大电流的双极结型晶体管1.GRT的结构和工作原理P基区N漂移区衬底集电极c基极b发射极e基极bcbe图1-15GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动a)内部结构断面图b)电气图形符号c)内部载流子的流动a)b)与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。