第十六章 器件技术.pptVIP

nMOSFET(n-channel)GateSourceDrainp-typesiliconsubstraten+n+SourceGateDrainSubstratepMOSFET(p-channel)SourceGateDrainp+p+n-typesiliconsubstrateSourceGateDrainSubstrateTwoTypesofMOSFETsFigure3.15第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日VDD=+3.0VOpengate(nocharge)Lamp(noconduction)SourceDrainp-typesiliconsubstraten+n+GateVGG=+0.7VS1BiasingCircuitforanNMOSTransistorFigure3.16第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日NMOSTransistorinConductionModeS1IDSVDD=+3.0VPositivechargeLampe-e-e-++++++++++++++++++SourceDrainp-typesiliconsubstrateGaten+n+HolesVGG=+0.7VFigure3.17第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日ExampleofCharacteristicsCurves

ofanN-channelMOSFETFigure3.186005004003002001000VGS=+5VVGS=+4VVGS=+3VVGS=+2VVGS=+1V0123456Drain-SourceVoltage,VDS(volts)DrainCurrent,IDS(ma)SaturationRegionLinearRegion第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日VDD=-3.0VOpengate(nocharge)Lamp(noconduction)SourceGateDrainp+p+n-typesiliconsubstrateVGG=-0.7VS1BiasingCircuitforaP-ChannelMOSFETFigure3.19第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日IDSVDD=-3.0VLampe-e-e-GateSourceDrain------------------------n-typesiliconsubstrateElectronsp+p+NegativechargeVGG=-0.7VS1PMOSTransistorinConductionModeFigure3.20第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日COMS技术以MOSFET为基础的IC制造，多年来都集中在单一的n沟道MOSFET技术为基础的产品制造和开发上。尽管分立的pMOS晶体管在特定电子应用方面适合很多适用的功能，但是通常nMOS集成电路器件替代了pMOS技术。因此，nMOS成为绝大多数集成电路制造商的选择。COMS是在同一集成电路上nMOS和pMOS混合。功耗、设计等比缩放技术和制造工艺的改进相结合使CMOS技术在20世纪80年代就成了一种最普遍地器件技术。等比缩放用于描述综合尺寸和现有的IC工作电压的缩小过程。所有尺寸和电压都必须在通过设计模型应用时统一缩小，这些模型是IC设计者们在电路设计和版图设计阶段使用的。第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日SGInputD+VDDDSGOutputpMOSFETnMOSFET-VSSCMOS反相器的电路图Figure3.21第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日CMOS反相器CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换期。当输入信号为零时晶体管没有功耗。nMOS、TT