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*电子技术基础第3章电子技术场效应管第1页，共36页，星期日，2025年，2月5日3.掌握场效应管的伏安特性及主要参数；本章要求：1.了解场效应管的结构与类型；2.理解场效应管的工作原理；4.掌握场效应管放大电路的分析。第2页，共36页，星期日，2025年，2月5日场效应管的特点1.它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。2.它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，3.还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。4.在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。第3页，共36页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：3.1场效应晶体管(FET）第4页，共36页，星期日，2025年，2月5日源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号#符号中的箭头方向表示什么？3.1.1结型场效应晶体管JFET第5页，共36页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管的结构如图所示。在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。图所示的管子的N区是电流的通道，称为N沟道结型场效应管。第6页，共36页，星期日，2025年，2月5日场效应管的三个电极与三极管的三个电极的对应关系栅极g--基极b源极s--发射极e漏极d--集电极c1.P沟道和N沟道结构及电路符号P沟道G门极D漏极S源极gdsP沟道结构及电路符号N沟道G门极D漏极S源极gdsN沟道结构及电路符号第7页，共36页，星期日，2025年，2月5日2.工作等效（以P沟道为例）UgsIsId(1）PN结不加反向电压（Ugs)或加的电压不足以使沟道闭合时。沟道导通，电阻很小，并且阻值随沟道的截面积减少而增大。称可变电阻区；ID=UDs/RDsRDSPNNGIDIS=IDPN结PN结++-UGS增大耗尽层加厚。UGS=0：ID=IDSS电路图等效图第8页，共36页，星期日，2025年，2月5日(2)恒流工作（电压控制电流源）GID+RDVDDDSPN结加反向电压（Ugs)使沟道微闭合时电流ID与UDS无关，称恒流区。ID=IDSS（1-）2ugsvPPNNGIDIS=IDPN结PN结++-耗尽层闭合时UGS=VPRDVDDUGS电路图等效图第9页，共36页，星期日，2025年，2月5日(3)截止工作PNNGID=0IS=IDPN结PN结++-RDVDDUGS耗尽层完全闭合，沟道夹断，电子过不去栅极电压UGS大于等夹断电压UP时，ID=0相当一个很大的电阻第10页，共36页，星期日，2025年，2月5日3.JFET的主要参数1）夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的VGS2）饱和漏极电流IDSS;VGS=0，时的IDudsidvgs=常数vgsidUds=常数?uGS?id5)极限参数：V（BR）DS、漏极的附近发生雪崩击穿。V（BR）GS、栅源间的最高反向击穿。PDM最大漏极允许功耗，与三极管类似。3)、电压控制电流系数gm=4）交流输出电阻rds=第11页，共36页，星期日，2025年，2月5日4.特性曲线：与三极管相同，场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以N型JFET为例：0ugs(v)-4-3-2-1idmA54321VPIDSSN型JFET的转移曲线可变电阻区截止区IB≤0UDS=UGS-VPN型JFET的输出特性曲线（V）UDS-4V-2.0V-1VUGS=0VmaID放大区0击穿区第12页，共36页，星期日，2025年，2月5日综